[發明專利]一種陣列式激光器無效
| 申請號： | 201210453447.5 | 申請日： | 2012-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN103812006A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 耿振民 | 申請（專利權）人： | 無錫華御信息技術有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/40 | 分類號： | H01S5/40;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 陳麗燕 |
| 地址： | 214081 江蘇省無錫市濱*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陣列 激光器 | ||
【權利要求書】：
1.一種陣式激光器，包括激光器外延片n面結構區、p面結構區、有源區、二維光子晶體分布區、p面電流注入區、n面電極、p面電極，二維光子晶體分布區是由半導體材料上的孔型光子晶體結構構成，該光子晶體結構作為線陣式激光器的模式選擇區和橫向光的隔離區；其特征在于：所述孔中采用具有絕緣性質液體材料填充，所述液體材料的折射率與形成所述光子晶體的材料的折射率差在0.5-1.6之間；二維光子晶體區孔洞刻蝕深度為0.9-1.1.1微米；輸出波長范圍在0.8微米至2.0微米范圍內；二維光子晶體結構分布區的寬度為d1，電流注入區的寬度為d2，d2/d1為2-8。
2.如權利要求1所述的激光器，d1為8-45微米。
3.如權利要求1所述的激光器，d2為15-200微米。
4.如權利要求1所述的激光器，所述半導體芯片材料為InGaAsP/InP材料、GaAs/AlGaAs材料或GaN/AlGaN材料。
5.如權利要求1所述的激光器，所述孔為圓形、六邊形、四方形或三角形。
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