[發(fā)明專(zhuān)利]一種高性能磁阻抗復(fù)合材料

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210453354.2
• 申請(qǐng)日: 2012-11-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102916127A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賈艷敏;鄭晨;張俊;武崢
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浙江師范大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L43/10
• 分類(lèi)號(hào): H01L43/10
• 代理公司: 杭州之江專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 33216
• 代理人: 朱楓

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于信息功能材料技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種高性能磁阻抗復(fù)合材料。

背景技術(shù)

磁阻抗效應(yīng)(Magneto-impedance,?MI):?磁性材料的交流阻抗隨著外加直流磁場(chǎng)的變化而發(fā)生顯著變化的效應(yīng)。磁阻抗效應(yīng)具有很大的潛在應(yīng)用前景，如應(yīng)用于磁場(chǎng)傳感器、磁記錄磁頭等領(lǐng)域。磁阻抗變化率???????????????????????????????????????????????定義為，式中是磁性材料在外加的磁場(chǎng)H?下的阻抗，是當(dāng)外加磁場(chǎng)達(dá)到最大時(shí)磁性材料的阻抗。1992年，日本名古屋大學(xué)的K.Mohri教授等在CoFeSiB軟磁非晶絲中發(fā)現(xiàn)了磁阻抗效應(yīng)。此后，人們?cè)诜蔷к洿藕辖鸨А⒓{米晶軟磁合金薄帶、玻璃包裹非晶絲材料以及非晶薄膜中相繼發(fā)現(xiàn)了磁阻抗效應(yīng)。目前，關(guān)于磁阻抗效應(yīng)的研究主要集中在Fe基和Co基的非晶帶，而Fe基和Co基的非晶帶幾乎沒(méi)有磁致伸縮性能。

磁阻抗材料往往同時(shí)表現(xiàn)出應(yīng)力阻抗效應(yīng)。應(yīng)力阻抗效應(yīng)(Stress-impedance,?SI):?磁性材料的交流阻抗隨著外加應(yīng)力的變化而發(fā)生顯著變化的效應(yīng)。應(yīng)力磁阻抗變化率定義為，式中是磁性材料在外加的應(yīng)力下的阻抗，是當(dāng)外加應(yīng)力達(dá)到最大時(shí)材料的阻抗。Tejedor等人2000年?(參考文獻(xiàn)：Sens.?Acta.?A?81,?98,?2000)?報(bào)道了通過(guò)對(duì)Fe基和Co基非晶帶施加外加應(yīng)力，?Fe基和Co基非晶帶的阻抗發(fā)生了變化的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是為了進(jìn)一步提高磁阻抗效應(yīng)，提供一種高性能磁阻抗復(fù)合材料。

為此，本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種高性能磁阻抗復(fù)合材料，其特征在于：它由磁阻抗材料和磁致伸縮材料進(jìn)行層狀復(fù)合而成。

進(jìn)一步地，所述磁阻抗材料與磁致伸縮材料粘接復(fù)合。

進(jìn)一步地，所述磁阻抗材料以薄膜的形式濺射在磁致伸縮材料的表面。

進(jìn)一步地，所述磁阻抗材料是納米晶軟磁合金薄帶、非晶軟磁合金薄帶、玻璃包裹非晶絲材料、非晶薄膜中的一種。

進(jìn)一步地，所述磁阻抗材料是Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉或FeSiB單層薄膜

進(jìn)一步地，所述磁致伸縮材料是稀土磁致伸縮材料、磁致伸縮合金、鐵氧體磁致伸縮材料中的一種。

進(jìn)一步地，所述磁致伸縮材料是Terfenol-D或波明德合金。

進(jìn)一步地，所述的復(fù)合結(jié)構(gòu)可以采用一層磁阻抗材料與一層磁致伸縮材料復(fù)合，也可以采用一層磁阻抗材料與多層磁致伸縮材料復(fù)合。

????磁阻抗材料往往同時(shí)會(huì)表現(xiàn)出應(yīng)力阻抗特性。通過(guò)磁致伸縮材料的磁致伸縮效應(yīng)與磁阻抗材料的應(yīng)力阻抗效應(yīng)的乘積效應(yīng)，可產(chǎn)生一個(gè)附加的磁阻抗效應(yīng)，對(duì)原來(lái)的磁阻抗效應(yīng)進(jìn)行放大，實(shí)現(xiàn)具有高性能磁阻抗效應(yīng)的材料。采用本發(fā)明制得的高性能磁阻抗復(fù)合材料具有磁阻抗效應(yīng)好的優(yōu)點(diǎn)。?

附圖說(shuō)明

以下結(jié)合附圖和本發(fā)明的實(shí)施方式來(lái)做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為磁阻抗材料Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉納米晶薄帶的磁阻抗的變化與所加磁場(chǎng)的大小的關(guān)系曲線；

圖3為磁阻抗材料Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉納米晶薄帶的應(yīng)力阻抗的變化與所加應(yīng)力的大小的關(guān)系曲線；

圖4為層狀復(fù)合結(jié)構(gòu)Fe_73.5Cu₁Nb₃Si_13.5B₉/Terfenol-D的磁阻抗的變化與所加磁場(chǎng)的大小的關(guān)系曲線。

具體實(shí)施方式。