[發明專利]一種納米摻雜結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201210452796.5
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN102953048A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 馬大衍;王紅波;馬飛;徐可為
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 汪人和

1.一種納米摻雜結構，其特征在于：包括納米材料襯底（1）以及沉積于納米材料襯底（1）上的摻雜層（4），所述摻雜層（4）包括相互層疊的若干個摻雜結構層，摻雜結構層由相互層疊的摻雜物層（2）和基體納米材料層（3）組成。

2.根據權利要求1所述一種納米摻雜結構，其特征在于：所述摻雜結構層由摻雜物層（2）以及沉積于摻雜物層（2）上的基體納米材料層（3）組成，或者，摻雜結構層由基體納米材料層（3）以及沉積于基體納米材料層（3）上的摻雜物層（2）組成。

3.根據權利要求1所述一種納米摻雜結構，其特征在于：所述沉積的方法為原子層沉積，摻雜層的生長為外延生長。

4.一種制備如權利要求1所述摻雜納米結構的方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1）將制備好的納米材料放入原子層沉積系統的反應腔中；

步驟2）在放入反應腔內的納米材料上交替沉積摻雜物層（2）和基體納米材料層（3）得摻雜層（4）。

5.根據權利要求4所述一種制備摻雜納米結構的方法，其特征在于：在放入反應腔內的納米材料上先沉積摻雜物層（2），然后在摻雜物層（2）上沉積基體納米材料層（3）；或者，在放入反應腔內的納米材料上先沉積基體納米材料層（3），然后在基體納米材料層（3）上沉積摻雜物層（2）。

6.根據權利要求4所述一種制備摻雜納米結構的方法，其特征在于：所述摻雜物層（2）的厚度為1-2個原子層循環，基體納米材料層（3）的厚度為X個原子層循環，X的大小根據實際需要的摻雜比例而定，X越小，摻雜比例越大，摻雜層（4）包括Y個由摻雜物層（2）和基體納米材料層（3）組成的摻雜結構層，Y的大小根據實際需要的摻雜層厚度而定，Y越大，摻雜層越厚。

7.根據權利要求4所述一種制備摻雜納米結構的方法，其特征在于：所述沉積的方式采用原位連續沉積。

8.根據權利要求4所述一種制備摻雜納米結構的方法，其特征在于：所述基體納米材料層（3）的材料為無機納米材料。

9.根據權利要求4所述一種制備摻雜納米結構的方法，其特征在于：所述摻雜物層（2）的材料為氧化物、氮化物、純金屬、硫化物或硒化物。

10.根據權利要求4所述一種制備摻雜納米結構的方法，其特征在于：所述步驟2）中，利用氮氣或惰性氣體為載氣及沖洗氣，維持本底氣壓為260-300毫托。