[發明專利]一種制備圖案化ZnO納米棒陣列的方法

有效

• 申請號: 201210452268.X
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN102942207A
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 張躍;陳翔;閆小琴;李欣;馮亞瀛;申衍偉;鄭鑫
• 申請（專利權）人: 北京科技大學
• 主分類號: C01G9/02
• 分類號: C01G9/02;G03F7/00;G03F7/20;G03F7/30;B82Y30/00
• 代理公司: 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401
• 代理人: 皋吉甫

1.?一種制備圖案化ZnO納米棒陣列的方法，能促進圖案化ZnO納米棒陣列大面積均勻生長，其特征在于：該方法具體步驟如下：

搭建基于雙面勞埃德鏡的三光束激光干涉系統，采用長程擴束和大尺寸高反鏡；

對生長基底進行超聲清洗，將化學放大膠AR-N4340經1:1質量比稀釋，先以500rpm*6s低速，再以?4000rpm*30s進行旋涂，得到生長基底上的化學放大膠的厚度為300nm；在溫度為85℃熱板軟烘1min；再在化學放大膠涂層上繼續旋涂頂部抗反射層AZ?aquatar，先以500rpm*6s低速，再以?3000rpm*30s進行旋涂，得到頂部抗反射層厚度為56nm；

將上述旋涂有化學放大膠和頂部抗反射層的生長基底固定到菱形曝光區域進行曝光，對曝光后的基底進行硬烘，再將原濃度顯影液與去離子水體積比1:1進行稀釋處理，顯影2-3min，之后用去離子水定影20s，氮氣吹干，即可得到六角排列圓形孔洞模板；

將帶有所述模板的生長基底放入生長液中進行圖案化ZnO納米棒陣列限域水熱生長，后取出、清洗并烘干，即可得圖案化ZnO納米棒陣列。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟（1）三光束激光干涉系統構建：一束325nm激光從He-Cd激光器發出，經兩面介質全反射鏡，進入空間濾波器進行濾波處理，隨后擴束140cm形成直徑為15cm的大光斑；樣品臺以18.5度入射角進行放置，兩面5*10cm方形介質全反射鏡相互夾角為120度且均垂直于樣品臺，樣品臺與兩面反射鏡的交點對準大光斑的中心。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：所述介質全反射鏡采用石英玻璃基底，對325nm激光的平均反射率為99.0%以上，可以截獲更多的反射光。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底為Si或p-GaN。

5.?如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述空間濾波器由焦距為2cm的高透物鏡和直徑為5um的針孔組成。