[發明專利]對雙極型晶體管進行仿真的方法及雙極型晶體管仿真電路有效
| 申請號： | 201210452059.5 | 申請日： | 2012-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN103810311A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 王正楠 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雙極型 晶體管 進行 仿真 方法 電路 | ||
1.一種對雙極型晶體管進行仿真的方法，其特征在于，包括以下步驟：
一．建立雙極型晶體管仿真電路，所述雙極型晶體管仿真電路，包括一標準雙極型晶體管、一電壓控制電流源和一寄生電阻；
所述電壓控制電流源、寄生電阻串接在所述標準雙極型晶體管的基極同集電極之間；
I=jrev*(exp(-(-VA+Bvrev)/(nrev*0.025)))
式中，I為電壓控制電流源的電流，jrev、Bvrev、nrev為擬合系數，VA為所述寄生電阻與所述電壓控制電流源的連接點電壓；
寄生電阻的阻值為擬合數值；
二．利用步驟一建立的雙極型晶體管仿真電路，對雙極型晶體管進行仿真。
2.根據權利要求1所述的對雙極型晶體管進行仿真的方法，其特征在于，
通過使雙極型晶體管仿真電路根據實測數據中的擊穿電流進行擬合，得到擬合系數jrev、Bvrev、nrev及寄生電阻的阻值。
3.根據權利要求1所述的對雙極型晶體管進行仿真的方法，其特征在于，
所述標準雙極型晶體管用GP模型來描述。
4.根據權利要求1所述的對雙極型晶體管進行仿真的方法，其特征在于，
所述標準雙極型晶體管，為NPN型或PNP型。
5.一種雙極型晶體管仿真電路，其特征在于，
包括一標準雙極型晶體管、一電壓控制電流源和一寄生電阻；
所述電壓控制電流源、寄生電阻串接在所述標準雙極型晶體管的基極同集電極之間；
I=jrev*(exp(-(-VA+Bvrev)/(nrev*0.025)))
式中，I為電壓控制電流源的電流，jrev、Bvrev、nrev為擬合系數，VA為所述寄生電阻與所述電壓控制電流源的連接點電壓；
寄生電阻的阻值為擬合數值。
6.根據權利要求5所述的雙極型晶體管仿真電路，其特征在于，
通過使雙極型晶體管仿真電路根據實測數據中的擊穿電流進行擬合，得到擬合系數jrev、Bvrev、nrev及寄生電阻的阻值。
7.根據權利要求5所述的雙極型晶體管仿真電路，其特征在于，
所述標準雙極型晶體管用GP模型來描述。
8.根據權利要求5所述的雙極型晶體管仿真電路，其特征在于，
所述標準雙極型晶體管，為NPN型或PNP型。
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