[發(fā)明專利]半導(dǎo)體試驗(yàn)裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210451993.5 | 申請日: | 2012-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN103163441A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 野中智己 | 申請(專利權(quán))人: | 富士電機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | G01R31/26 | 分類號: | G01R31/26;G01R31/12;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 試驗(yàn)裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及具有多臺試驗(yàn)機(jī)的綜合型的半導(dǎo)體試驗(yàn)裝置。
背景技術(shù)
以IGBT(絕緣柵雙極晶體管:Insulated?Gate?Bipolar?Transistor)、功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管:Metal?Oxide?Semiconductor?Field?Effect?Transistor)等為代表的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的出廠試驗(yàn)和制造工序內(nèi)的各種試驗(yàn)大致分為DC特性試驗(yàn)和AC特性試驗(yàn)。這些試驗(yàn)中,通常分別使用的試驗(yàn)電路不同,所以使用獨(dú)立的半導(dǎo)體試驗(yàn)裝置。
功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的DC特性試驗(yàn)中,有半導(dǎo)體元件的漏電流測定試驗(yàn)、耐壓測定試驗(yàn)、導(dǎo)通電壓測定試驗(yàn)和熱阻測定試驗(yàn)等靜態(tài)特性試驗(yàn)。
這些DC特性試驗(yàn),通常使用DC試驗(yàn)機(jī)在出廠時和工序內(nèi)進(jìn)行。
另一方面,功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的AC特性試驗(yàn)中,有L負(fù)載試驗(yàn)、短路試驗(yàn)等動態(tài)特性試驗(yàn)。
此外,除上述DC特性試驗(yàn)和AC特性試驗(yàn)之外,還有保證絕緣強(qiáng)度的絕緣試驗(yàn)。
該AC特性試驗(yàn)中,使用AC試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行試驗(yàn)。此外,也有使用絕緣試驗(yàn)機(jī)的絕緣強(qiáng)度的試驗(yàn)。
這樣,一般在功率半導(dǎo)體產(chǎn)品出廠時,通常使用DC試驗(yàn)機(jī)、AC試驗(yàn)機(jī)和絕緣試驗(yàn)機(jī)等進(jìn)行特性試驗(yàn)。
圖12是具有AC試驗(yàn)機(jī)和DC試驗(yàn)機(jī)的現(xiàn)有的綜合型的半導(dǎo)體試驗(yàn)裝置的結(jié)構(gòu)圖。
該半導(dǎo)體試驗(yàn)裝置500包括:固定在基體機(jī)箱的下部缸23;固定在基體機(jī)箱的上部缸25、27;和保持DUT(Device?Under?Test:供試器件,此處為半導(dǎo)體模塊等)且與下部缸的可動部聯(lián)動的下部可動結(jié)構(gòu)部22。還包括:搭載AC試驗(yàn)電路且與上部缸25的可動部聯(lián)動的上部可動結(jié)構(gòu)部24;搭載DC試驗(yàn)電路且與上部缸27的可動部聯(lián)動的上部可動結(jié)構(gòu)部26;和固定于基體機(jī)箱且位于下部可動結(jié)構(gòu)部22與上部可動結(jié)構(gòu)部24、25之間的固定治具20。
該半導(dǎo)體試驗(yàn)裝置中,AC試驗(yàn)機(jī)16和DC試驗(yàn)機(jī)17被連接在外部。在用AC試驗(yàn)機(jī)16實(shí)施試驗(yàn)的情況下,通過使下部缸23上升而將下部可動結(jié)構(gòu)部22的電極1P~1W按在固定治具20的彈簧電極20P~20W上。
此外,通過使上部缸25下降而將上部可動結(jié)構(gòu)部24的彈簧電極10P~10W按在固定治具20的電極上。由此,DUT1與AC試驗(yàn)機(jī)16配線連接,能夠?qū)嵤〢C試驗(yàn)。
此外,在用DC試驗(yàn)機(jī)實(shí)施試驗(yàn)的情況下,通過使下部缸23上升而將下部可動結(jié)構(gòu)部22的電極1P~1W按在固定治具20的彈簧電極20P~20W上。此外,通過使上部缸27下降,而將上部可動結(jié)構(gòu)部26的彈簧電極按在固定治具20的電極上。由此,DUT1與DC試驗(yàn)機(jī)17配線連接,能夠?qū)嵤〥C試驗(yàn)。圖中的符號29是連接來自AC試驗(yàn)機(jī)16的配線H1的平行平板,連接開關(guān)電路2或接觸部10P~10W。此外,符號G1是連接上部可動結(jié)構(gòu)部26與DC試驗(yàn)機(jī)17的配線。
此外,專利文獻(xiàn)1中記載了:電源部對通過負(fù)載部連接了DUT(被試器件)的DUT連接部供給電源;負(fù)載部中,使用電感負(fù)載、電阻負(fù)載、電容負(fù)載、或者整流部件等被動負(fù)載、晶體管等開關(guān)器件(主動負(fù)載),分別對DUT附加必要的職能;在DUT連接部上,連接DUT控制/驅(qū)動部和DUT特性測定部;DUT控制/驅(qū)動部對DUT供給規(guī)定的電壓信號、電流信號或頻率信號,對其進(jìn)行驅(qū)動,由DUT特性測定部7,通過在DUT3中流過的電流值或電壓值測定其電特性和熱特性,這樣,對功率半導(dǎo)體元件的熱阻試驗(yàn)、電涌(surge)試驗(yàn)、開關(guān)特性試驗(yàn)、連續(xù)工作試驗(yàn)進(jìn)行綜合,用同一臺試驗(yàn)裝置進(jìn)行這些試驗(yàn)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-107432號公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
圖12中,在用DC試驗(yàn)機(jī)和AC試驗(yàn)機(jī)實(shí)施試驗(yàn)的情況下,在切換時需要使上部可動結(jié)構(gòu)部24和26上下移動。這樣,從AC試驗(yàn)機(jī)連接在上部可動結(jié)構(gòu)部24的多根配線F1和從DC試驗(yàn)機(jī)連接在上部可動結(jié)構(gòu)部26的多根配線G1與上部可動結(jié)構(gòu)部24或26同時上下移動。
每次AC試驗(yàn)和DC試驗(yàn)都反復(fù)該上下動作,其頻率例如在AC試驗(yàn)和DC試驗(yàn)的合計(jì)試驗(yàn)時間為30秒的情況下,約為1000次/天(8小時×60分鐘×60秒/30秒),1年中達(dá)到360000次(1000次×30天×1兩個月)。
這樣反復(fù)上下動作時,在配線F1、G1的可動部分中發(fā)生金屬疲勞,最壞的情況會導(dǎo)致斷線,不能夠進(jìn)行試驗(yàn)。
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