[發(fā)明專利]芯片用干膜去膜劑及制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210451883.9
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN102968002A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖勇勤
• 申請（專利權(quán)）人: 大連三達(dá)維芯半導(dǎo)體材料有限公司
• 主分類號: G03F7/42
• 分類號: G03F7/42
• 代理公司: 大連非凡專利事務(wù)所 21220
• 代理人: 閃紅霞

1.一種芯片用干膜去膜劑，其特征在于：由吡咯烷酮、酰胺、亞砜及二氧六環(huán)或二氧五環(huán)組成，所述各組分的質(zhì)量百分比如下：吡咯烷酮20~60%、酰胺10~70%、亞砜10%~50%、二氧六環(huán)或二氧五環(huán)5%~30%。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片用干膜去膜劑，其特征在于：所述各組分的質(zhì)量百分比如下：吡咯烷酮20~40%、酰胺10~30%、亞砜10%~30%、二氧六環(huán)或二氧五環(huán)5%~20%。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的芯片用干膜去膜劑，其特征在于：所述吡咯烷酮是甲基吡咯烷酮、乙基吡咯烷酮、羥乙基吡咯烷酮或2-吡咯烷酮。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片用干膜去膜劑，其特征在于：所述酰胺是甲酰胺、乙酰胺、丙酰胺、苯甲酰胺、二甲基甲酰胺或二甲基乙酰胺。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片用干膜去膜劑，其特征在于：所述亞砜是甲基亞砜、乙基亞砜、二甲基亞砜、二乙基亞砜或環(huán)丁亞砜。

6.一種如權(quán)利要求1所述芯片用干膜去膜劑的制備方法，其特征在于按如下步驟進(jìn)行：開動反應(yīng)釜攪拌器，轉(zhuǎn)速為500轉(zhuǎn)/分鐘，依次向反應(yīng)釜中加入計(jì)算量的吡咯烷酮、酰胺、亞砜、二氧六環(huán)或二氧五環(huán)，所有料加入后繼續(xù)攪拌至反應(yīng)釜中的溶液呈均勻透明液體。