[發(fā)明專利]犧牲層腐蝕時間的測試結(jié)構(gòu)及MEMS器件制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210451765.8
• 申請日: 2012-11-12
• 公開（公告）號: CN102963859A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙丹淇;張大成;何軍;黃賢;楊芳;田大宇;劉鵬;王瑋;李婷;羅葵
• 申請（專利權(quán)）人: 北京大學(xué)
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00;G01R33/00
• 代理公司: 北京君尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11200
• 代理人: 余長江

1.一種用于實時確定犧牲層腐蝕時間的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括自下而上排列的犧牲層、MEMS結(jié)構(gòu)層和金屬層；所述金屬層中的金屬在所述犧牲層腐蝕完成時發(fā)生脫落。

2.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)構(gòu)層和金屬層包括多個以陣列形式排列的測試單元。

3.如權(quán)利要求1或2所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)構(gòu)層為多晶硅，所述金屬層為Au。

4.如權(quán)利要求1或2所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬層中包含一與所述結(jié)構(gòu)層相鄰的粘附層。

5.如權(quán)利要求4所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述粘附層的材質(zhì)為Cr。

6.一種采用如權(quán)利要求1或2所述的測試結(jié)構(gòu)制備MEMS器件的方法，其步驟包括：

1）在基片上劃分基本芯片區(qū)域和檢測區(qū)域；

2）采用表面犧牲層工藝在所述基片上制作犧牲層和MEMS器件的結(jié)構(gòu)層；

3）在所述檢測區(qū)域的結(jié)構(gòu)層上淀積金屬層；

4）濕法腐蝕所述犧牲層，通過觀測所述金屬層中金屬的脫落確定腐蝕完成時間，釋放MEMS器件結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于：步驟3）還在所述基本芯片區(qū)域淀積金屬層，并在步驟4）使用光刻膠作為所述基本芯片區(qū)域的保護層。

8.如權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于：在所述檢測區(qū)域的結(jié)構(gòu)層和金屬層上刻蝕形成多個以陣列形式排列的測試單元。

9.如權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于：所述金屬層中包含一粘附層，采用合金工藝增加所述結(jié)構(gòu)層和所述金屬層的粘附力。

10.如權(quán)利要求6或7所述的方法，其特征在于：采用低壓化學(xué)氣相淀積方法淀積所述犧牲層和所述結(jié)構(gòu)層；采用濺射方法制備所述金屬層。