[發(fā)明專(zhuān)利]雙應(yīng)力薄膜的制造方法以及半導(dǎo)體器件

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210451702.2
• 申請(qǐng)日: 2012-11-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102931142A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張文廣;陳玉文
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/8238
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/8238;H01L21/314;H01L21/3105;H01L27/092
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種雙應(yīng)力薄膜的制造方法，包括：

提供一具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底；

在所述襯底上形成碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜包括形成于所述襯底上的含氮的碳化硅薄膜以及覆蓋所述含氮的碳化硅薄膜的不含氮的碳化硅薄膜，所述碳化硅薄膜為壓應(yīng)力薄膜；

在所述第一區(qū)域的碳化硅薄膜上覆蓋光阻層；

利用UV光照射所述第二區(qū)域的碳化硅薄膜，使所述第二區(qū)域的碳化硅薄膜轉(zhuǎn)變?yōu)槔瓚?yīng)力薄膜；

去除所述第一區(qū)域的碳化硅薄膜上的光阻層。

2.如權(quán)利要求1所述的雙應(yīng)力薄膜的制造方法，其特征在于，所述碳化硅薄膜的厚度在100~1000埃之間。

3.如權(quán)利要求1所述的雙應(yīng)力薄膜的制造方法，其特征在于，利用UV光照射所述第二區(qū)域的碳化硅薄膜前，所述碳化硅薄膜的壓應(yīng)力在300~400MPa之間。

4.如權(quán)利要求1所述的雙應(yīng)力薄膜的制造方法，其特征在于，利用UV光照射所述第二區(qū)域的碳化硅薄膜后，所述第二區(qū)域的碳化硅薄膜的拉應(yīng)力在600~800MPa之間。

5.如權(quán)利要求1所述的雙應(yīng)力薄膜的制造方法，其特征在于，去除所述第一區(qū)域的碳化硅薄膜上的光阻層之后，還包括：

在所述第二區(qū)域的碳化硅薄膜上覆蓋光阻層；

利用惰性氣體等離子體處理所述第一區(qū)域的碳化硅薄膜；

去除所述第二區(qū)域的碳化硅薄膜上的光阻層。

6.如權(quán)利要求5所述的雙應(yīng)力薄膜的制造方法，其特征在于，利用惰性氣體等離子體處理所述第一區(qū)域的碳化硅薄膜后，所述第一區(qū)域的碳化硅薄膜的壓應(yīng)力在2.0~3.7GPa之間。

7.如權(quán)利要求1所述的雙應(yīng)力薄膜的制造方法，其特征在于，所述碳化硅薄膜的介電常數(shù)為4~6。

8.如權(quán)利要求1所述的雙應(yīng)力薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一區(qū)域用以形成PMOS晶體管，所述第二區(qū)域用以形成NMOS晶體管。

9.一種半導(dǎo)體器件，利用權(quán)利要求1~8中任意一項(xiàng)的雙應(yīng)力薄膜的制造方法獲得，包括：

具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的襯底；

形成于所述襯底上的碳化硅薄膜，所述第一區(qū)域上的碳化硅薄膜為壓應(yīng)力薄膜，所述第二區(qū)域上的碳化硅薄膜為拉應(yīng)力薄膜。