[發明專利]接觸孔的制作方法

有效

• 申請號: 201210451655.1
• 申請日: 2012-11-12
• 公開（公告）號: CN102969275A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 張瑜;黃君;蓋晨光
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種接觸孔的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上依次形成有第一介質層、第二介質層、第三介質層；

進行刻蝕工藝，在所述第一介質層、第二介質層和第三介質層內形成第一接觸孔，所述第一接觸孔露出半導體襯底；

去除所述第三介質層；

在所述第二介質層上形成第四介質層，所述第四介質層填充所述第一接觸孔；

形成貫穿所述第四介質層、第二介質層和第一介質層的第二接觸孔，所述第二接觸孔露出半導體襯底；

去除所述第四介質層。

2.如權利要求1所述的接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第一接觸孔的制作方法包括：

在所述第三介質層上依次形成第一介質抗反射層、第一底部抗反射層和第一光刻膠層，所述第一光刻膠層內形成有第一開口；

沿所述第一開口進行刻蝕工藝，對所述第一底部抗反射層、第一介質抗反射層和第三介質層進行刻蝕，形成第一接觸孔，所述第一接觸孔露出下方的半導體襯底；

去除所述第一底部抗反射層、第一介質抗反射層和第三介質層。

3.如權利要求2所述的接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第一底部抗反射層的材質為可交聯的高分子聚合物，厚度范圍為200-400埃。

4.如權利要求2所述的接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第一介質抗反射層的材質為氮氧化硅，厚度范圍為200-400埃。

5.如權利要求1所述的接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第二接觸孔的制作方法包括：

在所述第四介質層上形成第二介質抗反射層、第二底部抗反射層和第二光刻膠層，所述第二光刻膠層內形成有第二開口；

沿所述第二開口進行刻蝕工藝，對所述第二底部抗反射層、第二介質抗反射層和第四介質層進行刻蝕，形成第二接觸孔，所述第二接觸孔露出下方的半導體襯底；

去除所述第二光刻膠層、第二底部抗反射層、第二介質抗反射層。

6.如權利要求5所述的接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第二底部抗反射層的材質為可交聯的高分子聚合物，厚度范圍為300-500埃。

7.如權利要求5所述的接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第二介質抗反射層的材質為氮氧化硅，厚度范圍為300-500埃。

8.如權利要求5所述的接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第四介質層的材質為無定型碳，厚度范圍為1500-2500埃。

9.如權利要求1所述的接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第三介質層的材質為無定型碳，厚度范圍為1500-2500埃。

10.如權利要求1所述的接觸孔的制作方法，其特征在于，所述第一介質層的材質為氮化硅，所述第二介質層的材質為氧化硅。