[發明專利]一種金色低輻射鍍膜玻璃及其制備方法

有效

• 申請號: 201210451268.8
• 申請日: 2012-11-13
• 公開（公告）號: CN102910839A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 林嘉佑
• 申請（專利權）人: 林嘉佑
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36;B32B17/06;B32B15/04;B32B9/04
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 王光輝

技術領域

本發明涉及鍍膜玻璃技術領域，具體地，涉及一種金色低輻射鍍膜玻璃及其制備方法。?

背景技術

Low-E玻璃又稱低輻射玻璃，是在玻璃表面鍍上多層金屬或其他化合物組成的膜系產品。其鍍膜層具有對可見光高透過及對中遠紅外線高反射的特性，使其與普通玻璃及傳統的建筑用鍍膜玻璃相比，具有優異的隔熱效果和良好的透光性。隨著經濟的發展，市場對LOW-W玻璃的要求越來越高，不僅要求其具有較高的性能，較強的實用性，還必須集美觀、舒適、價廉于一體。但是，市場上普通的鍍膜玻璃，從側面角度看無反射光，沒有顏色；而且市場上的金色LOW-E玻璃，使用純金靶材，價格昂貴。?

發明內容

為了克服現有技術的上述缺陷，本發明的目的在于改善鍍膜玻璃透視的顏色及效果，同時降低金色玻璃的制造成本。?

本發明提出一種金色低輻射鍍膜玻璃，其特征在于，該鍍膜玻璃包括：玻璃基板/底層電介質層/底層阻擋層/功能層/頂層阻擋層/頂層電介質層/頂層金屬層；其中，底層電介質層為TiOx層，底層阻擋層為NiCr層或CrNx層，功能層為Ag層，頂層阻擋層為NiCrNx層或CrNx層，頂層電介質層為Si3N4層或ZnSnOx+Si3N4層，頂層金屬層為Si層。?

其中，所述底層電介質層膜厚為10～30nm，底層阻擋層膜厚為0～10nm，功能層膜厚為10～30nm，頂層阻擋層膜厚為0～10nm，頂層電介質層膜厚為80～110nm，頂層金屬層膜厚為0～10nm。?

較優地，所述底層電介質層膜厚為19.1nm。所述底層阻擋層膜厚為1.7nm。所述功能層膜厚為15.3nm。所述頂層阻擋層膜厚為3.9nm。所述頂層電介質層膜厚為91.5nm。所述頂層金屬層膜厚為5nm。?

本發明還提出一種金色低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：?

（1）洗片；使用純水，通過洗片機，利用圓盤刷和滾筒刷等工具完成對玻璃基板的清洗；

（2）風干；使用熱風機進行風干；

（3）逐層鍍膜；將風干后的所述玻璃基板，置入真空磁控濺射鍍膜設備的靶材室進行逐層鍍膜，包括：在玻璃基板上鍍底層電介質；在底層電介質上鍍底層阻擋層；在底層阻擋層上鍍功能層；在功能層上鍍頂層阻擋層；頂層阻擋層上鍍頂層電介質層；在頂層電介質層上鍍頂層金屬層。

其中，所述底層電介質層為TiOx；底層阻擋層為NiCr層或CrNx層，功能層為Ag層，頂層阻擋層為NiCrNx層或CrNx層，頂層電介質層為Si3N4層或ZnSnOx+Si3N4層，頂層金屬層為Si。?

其中，所述底層電介質層TiOx膜層使用氧化鈦靶，采用雙陰極，中頻濺射的方式，在工藝氣體O2和Ar的參與下，在玻璃基板表面沉積成膜。濺射功率為：60KW-90KW；真空濺射氣壓為:5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。?

其中，所述底層阻擋層NiCr層或CrNx層，使用鎳鎘靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在底層電介質TiOx上沉積成膜。濺射功率為：1KW-5KW；真空濺射氣壓為：1.0E-3mbar-3.0E-6mbar。?

其中，所述功能層Ag層使用銀靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在底層阻擋層NiCr或CrNx上沉積成膜。濺射功率為：5KW-15KW；真空濺射氣壓為：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。?

其中，所述頂層阻擋層NiCrNx層或CrNx層，使用鎳鎘靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在功能層Ag層上沉積形膜。濺射功率為：1KW-10KW；真空濺射氣壓為：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。?

其中，所述頂層電介質層Si3N4層或ZnSnOx+Si3N4層，使用硅鋁靶，采用雙陰極，中頻濺射的方式，在工藝氣體N2和Ar的參與下，在頂層阻擋層NiCrNx或CrNx上沉積成膜。濺射功率為：30KW-50KW；真空濺射氣壓為：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。?

其中，所述頂層金屬層Si膜層使用硅靶，采用平面陰極，直流磁控濺射的方式，在工藝氣體Ar的參與下，在頂層電介質層Si3N4或ZnSnOx+Si3N4上沉積成膜。濺射功率為：5KW-15KW；真空濺射氣壓為：5.0E-3mbar-1.0E-3mbar。?