[發(fā)明專利]MEMS器件及MEMS器件形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210451121.9
• 申請日: 2012-11-12
• 公開（公告）號: CN103569937A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱家驊;鄭鈞文;李德浩;林宗賢
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B81B7/00
• 分類號: B81B7/00;B81C1/00
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種器件，包括：

微機電系統(tǒng)(MEMS)晶圓，其中包括MEMS器件，所述MEMS器件包括：

可移動元件；

位于所述MEMS晶圓中的第一開口，所述可移動元件位于所述第一開口中；

接合到所述MEMS晶圓的載體晶圓，其中所述載體晶圓包括連接到所述第一開口的第二開口，所述第二開口包括：

自所述載體晶圓的表面延伸進所述載體晶圓的入口部分；以及

比所述入口部分寬的內(nèi)部部分，其中所述內(nèi)部部分在所述載體晶圓中比所述入口部分深。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第二開口的入口部分包括基本垂直的側(cè)壁，所述側(cè)壁與所述載體晶圓的表面基本垂直，以及所述第二開口的內(nèi)部部分的側(cè)壁是彎曲的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述載體晶圓在其中沒有互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，還包括接合到所述MEMS晶圓的CMOS晶圓，所述CMOS晶圓和所述載體晶圓位于所述MEMS晶圓的相對側(cè)，并且所述CMOS晶圓在其中包括CMOS器件。

5.一種器件，包括：

微機電系統(tǒng)(MEMS)晶圓，其中包括MEMS器件，所述MEMS器件包括：

可移動元件；和

位于所述MEMS晶圓中的第一開口，所述可移動元件位于所述第一開口中；

位于所述MEMS晶圓下方并接合到所述MEMS晶圓的載體晶圓，其中所述載體晶圓包括連接到所述第一開口的第二開口，并且所述第二開口包括：

自所述載體晶圓的表面延伸進所述截體晶圓的入口部分，其中所述入口部分具有基本直立的側(cè)壁；和

在所述載體晶圓中比所述入口部分深的內(nèi)部部分，所述內(nèi)部部分包括彎曲的底部和彎曲的側(cè)壁；以及

位于所述MEMS晶圓上方并連接到所述MEMS晶圓的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶圓，所述CMOS晶圓以及所述載體晶圓位于所述MEMS晶圓的相對側(cè)，所述CMOS晶圓在其中包括CMOS器件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的器件，其中，所述內(nèi)部部分具有大于所述入口部分的第二橫向尺寸的第一橫向尺寸。

7.一種方法，包括：

對載體晶圓進行各向異性蝕刻以形成包括基本垂直的側(cè)壁的多個第一開口；

在所述多個第一開口中形成保護層，其中，所述保護層包括位于所述多個第一開口的基本垂直的側(cè)壁上的側(cè)壁部分，并且所述多個第一開口的底部不被所述保護層覆蓋；

進行各向同性蝕刻以擴大所述多個第一開口，其中所述多個第一開口中的每一個都包括：

自所述載體晶圓的表面延伸進所述載體晶圓的入口部分；和

比所述入口部分寬的內(nèi)部部分，其中所述內(nèi)部部分在所述載體晶圓中比所述入口部分深；

將另一晶圓接合到所述載體晶圓；以及

蝕刻所述另一晶圓以在所述另一晶圓中形成微機電系統(tǒng)(MEMS)器件，其中所述MEMS器件位于包括所述多個第一開口的腔中。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，在所述各向同性蝕刻后，所述多個第一開口相互互連。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括將互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶圓連接到所述MEMS晶圓，其中所述CMOS晶圓以及所述載體晶圓位于所述MEMS晶圓的相對側(cè)，其中所述方法還包括焊盤開放步驟，所述焊盤開放步驟包括：

去除所述載體晶圓的邊緣部分以露出所述CMOS晶圓的接合焊盤。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括：

將互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶圓接合到所述MEMS晶圓，其中，所述CMOS晶圓以及所述載體晶圓位于所述MEMS晶圓的相對側(cè)，其中所述方法還包括焊盤開放步驟，所述焊盤開放步驟包括：

將所述載體晶圓減薄以去除所述載體晶圓的一部分，從而露出所述CMOS晶圓的接合焊盤。