[發明專利]一種改善硅穿孔工藝中刻蝕均勻性的方法

有效

• 申請號: 201210449703.3
• 申請日: 2012-11-12
• 公開（公告）號: CN102931133A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 嚴利均;黃秋平
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/683;H01L21/67
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種改善硅穿孔工藝中刻蝕均勻性的方法，其特征在于，該方法包含以下步驟：

在進行硅穿孔工藝過程中，設置靜電卡盤邊緣區域的溫度高于靜電卡盤中心區域的溫度；

實現在進行硅穿孔工藝中的鈍化工藝時，降低晶圓邊緣區域鈍化形成的聚合物厚度，改善晶圓邊緣區域與中心區域之間的聚合物鈍化的均勻度。

2.如權利要求1所述的改善硅穿孔工藝中刻蝕均勻性的方法，其特征在于，設置所述的靜電卡盤上邊緣區域溫度高于中心區域溫度后，邊緣區域與中心區域之間溫度差的范圍為5攝氏度至20攝氏度。

3.如權利要求1所述的改善硅穿孔工藝中刻蝕均勻性的方法，其特征在于，所述的靜電卡盤上由中心區域至邊緣區域，其對晶圓提供的溫度均勻逐漸升高或跳變升高。

4.如權利要求1所述的改善硅穿孔工藝中刻蝕均勻性的方法，其特征在于，在進行硅穿孔工藝過程中，晶圓上分布的刻蝕氣體或鈍化氣體的濃度均勻不變。

5.如權利要求1所述的改善硅穿孔工藝中刻蝕均勻性的方法，其特征在于，在進行刻蝕工藝或鈍化工藝過程中，對晶圓施加的射頻功率不變。

6.如權利要求1所述的改善硅穿孔工藝中刻蝕均勻性的方法，其特征在于，在采用博世法進行硅穿孔工藝時，靜電卡盤上設置的原始溫度的范圍是0至30度。

7.如權利要求1所述的改善硅穿孔工藝中刻蝕均勻性的方法，其特征在于，在采用非博世法進行硅穿孔工藝時，靜電卡盤上設置的原始溫度的范圍是0至30度。

8.一種靜電卡盤，其特征在于，其設置于進行硅穿孔工藝的半導體加工設備中，該靜電卡盤包含：

靜電卡盤本體，用于將晶圓固定在該靜電卡盤本體上；

第一溫度調節器，其設置于所述靜電卡盤本體的邊緣區域下；

第二溫度調節器，其設置于所述靜電卡盤本體的中心區域下；

溫控模塊，其分別向第一溫度調節器與第二溫度調節器輸出溫控信號，使所述第一溫度調節器的溫度高于第二溫度調節器的溫度。

9.一種真空處理裝置，其特征在于，所述的真空處理裝置包含如權利要求8所述的靜電卡盤。