[發(fā)明專利]一種片式憶阻器及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210449341.8
• 申請(qǐng)日: 2012-11-10
• 公開（公告）號(hào): CN102931349A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周濟(jì);蔡坤鵬;李勃;李龍土
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00;G11C13/00
• 代理公司: 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246
• 代理人: 薄觀玖

1.一種片式憶阻器，其特征在于：包括兩平行板導(dǎo)電電極（1），兩平行板導(dǎo)電電極（1）通過位于二者之間的有效憶阻功能介質(zhì)材料（2）相連，形成三明治結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種片式憶阻器，其特征在于：所述平行板導(dǎo)電電極（1）的材料是Au、Pt、Cu、Ag或Ni金屬及其導(dǎo)電合金材料，或?qū)щ娞疾牧?、?dǎo)電玻璃、導(dǎo)電有機(jī)物材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種片式憶阻器，其特征在于：所述有效憶阻功能介質(zhì)材料（2）為ZrO₂、Gd₂O₃、HfO₂、TiO₂、SiO₂、WO_x?(0≤x≤3)、CuO_y?(0≤y≤1)、TaO_z?(0≤z≤2.5)、VO₂、MFe₂O₄、Si、SrTiO_3-cN_d?(0≤c≤3,d=2c/3)、LiNbO₂和Nb₂O₅中的一種或多種。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種片式憶阻器，其特征在于：所述MFe₂O₄中M為Mn、Fe、Co或Ni。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種片式憶阻器，其特征在于：在片式憶阻器四周包覆一層絕緣材料保護(hù)層（3），并在上、下兩平行板導(dǎo)電電極（1）外側(cè)分別包覆一層外包導(dǎo)電電極（4）。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種片式憶阻器，其特征在于：所述絕緣材料保護(hù)層（3）為聚氯乙烯、聚乙烯或樹脂絕緣材料中的一種或多種；所述外包導(dǎo)電電極（4）的材料是Au、Pt、Cu、Ag或Ni金屬及其導(dǎo)電合金材料，或?qū)щ娞疾牧?、?dǎo)電玻璃、導(dǎo)電有機(jī)物材料。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種片式憶阻器，其特征在于：多個(gè)平行板導(dǎo)電電極（1）與多個(gè)有效憶阻功能介質(zhì)材料（2）間隔排列并相連，形成多層結(jié)構(gòu)，其上、下兩面都是平行板導(dǎo)電電極（1）；在多層結(jié)構(gòu)相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面上，分別包覆一層外包導(dǎo)電電極（4），兩個(gè)相鄰平行板導(dǎo)電電極（1）分別與不同的外包導(dǎo)電電極（4）相連；在多層結(jié)構(gòu)剩余4個(gè)面上包覆一層絕緣材料保護(hù)層（3）；在多層結(jié)構(gòu)空隙中填充絕緣填充材料（5）。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種片式憶阻器，其特征在于：所述絕緣材料保護(hù)層（3）或絕緣填充材料（5）為聚氯乙烯、聚乙烯或樹脂絕緣材料中的一種或多種；所述外包導(dǎo)電電極（4）的材料是Au、Pt、Cu、Ag或Ni金屬及其導(dǎo)電合金材料，或?qū)щ娞疾牧?、?dǎo)電玻璃、導(dǎo)電有機(jī)物材料。

9.一種如權(quán)利要求1~8任一權(quán)利要求所述的片式憶阻器的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：

a.?選取和制備合適體系的有效憶阻功能介質(zhì)材料；

b.?將步驟a中有效憶阻功能介質(zhì)材料與平行板導(dǎo)電電極通過涂覆、壓模、蒸鍍、濺射、沉積等方法制備成三明治結(jié)構(gòu)，其中有效憶阻功能介質(zhì)材料位于平行板導(dǎo)電電極的中間，得到有效憶阻器結(jié)構(gòu)。

c.?通過向步驟b中所獲得的有效憶阻器結(jié)構(gòu)包覆絕緣材料保護(hù)層，并在結(jié)構(gòu)空隙中填入絕緣填充材料得到完整的片式憶阻器。