[發(fā)明專利]一種硅片制絨方法及硅片制絨裝置

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• 申請日: 2012-11-12
• 公開（公告）號: CN103811583A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設計）人: 韓允
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/08
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種硅片制絨方法，其特征在于，包括以下步驟：

10)采用腐蝕溶液同時對硅片的受光面和背光面進行腐蝕，以去除所述硅片的受光面和背光面的損傷層；

20)采用腐蝕溶液單獨對去除損傷層后的所述硅片的受光面進行腐蝕，以使所述受光面形成絨面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片制絨方法，其特征在于，在所述步驟10)之后，所述步驟20)之前，還包括以下步驟：

15)去除所述背光面上存在的腐蝕溶液。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅片制絨方法，其特征在于，在步驟15)中，采用吹風或烘干的方式去除所述背光面上存在的腐蝕溶液。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片制絨方法，其特征在于，在所述步驟10)中，采用浸泡或噴淋腐蝕溶液的方式同時對所述硅片的受光面和背光面進行腐蝕；

在所述步驟20)中，采用浸泡或噴淋腐蝕溶液的方式單獨對所述硅片的受光面進行腐蝕。

5.一種硅片制絨裝置，其特征在于，包括第一腐蝕單元和第二腐蝕單元，其中

所述第一腐蝕單元用于采用腐蝕溶液同時對硅片的受光面和背光面進行腐蝕，以去除所述受光面和背光面的損傷層；

所述第二腐蝕單元用于采用腐蝕溶液單獨對經(jīng)所述第一腐蝕單元腐蝕后的所述硅片的受光面進行腐蝕，以使所述受光面形成絨面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅片制絨裝置，其特征在于，所述硅片制絨裝置還包括傳送單元，所述傳送單元包括第一滾輪和驅(qū)動源，所述第一滾輪排列形成用于傳送所述硅片的傳送帶；所述驅(qū)動源與所述第一滾輪連接，在所述驅(qū)動源的驅(qū)動下，所述第一滾輪通過旋轉(zhuǎn)帶動所述硅片移動；

由所述第一滾輪排列形成的傳送帶包括沿所述硅片的移動方向依次排列的第一腐蝕區(qū)域和第二腐蝕區(qū)域，其中

所述第一腐蝕單元在所述硅片經(jīng)過所述第一腐蝕區(qū)域的過程中，采用腐蝕溶液同時對硅片的受光面和背光面進行腐蝕，以去除所述受光面和背光面的損傷層；

所述第二腐蝕單元在所述硅片經(jīng)過所述第二腐蝕區(qū)域的過程中，采用腐蝕溶液單獨對經(jīng)所述第一腐蝕單元腐蝕后的所述硅片的受光面進行腐蝕，以使所述受光面形成絨面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅片制絨裝置，所述第一腐蝕單元為盛有所述腐蝕溶液的第一槽體，所述第二腐蝕單元為盛有所述腐蝕溶液的第二槽體；

排列在所述第一腐蝕區(qū)域中的所述第一滾輪位于所述第一槽體中，且其頂端的高度被設置為：在所述硅片經(jīng)過所述第一腐蝕區(qū)域的過程中，使所述硅片的上表面的高度低于所述第一槽體中的腐蝕溶液的液面高度；

排列在所述第二腐蝕區(qū)域中的所述第一滾輪位于所述第二槽體中，且其頂端的高度被設置為：在所述硅片經(jīng)過所述第二腐蝕區(qū)域的過程中，使所述硅片的上表面的高度高于所述第二槽體中的腐蝕溶液的液面高度，且使所述硅片的下表面的高度不高于所述第二槽體中的腐蝕溶液的液面高度；并且

所述硅片的上表面為所述硅片的背光面，所述硅片的下表面為所述硅片的受光面。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅片制絨裝置，其特征在于，所述傳送單元還包括第二滾輪，所述第二滾輪分別對應地排列在所述第一腐蝕區(qū)域和第二腐蝕區(qū)域中的所述第一滾輪的上方，并且所述第二滾輪與第一滾輪之間具有可供所述硅片通過的間隙。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅片制絨裝置，其特征在于，所述驅(qū)動源包括電機、氣缸或液壓驅(qū)動。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅片制絨裝置，其特征在于，在所述第一槽體中設置有循環(huán)泵，所述循環(huán)泵用于通過向上抽取腐蝕溶液來促使所述第一槽體中的腐蝕溶液上下循環(huán)流動。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅片制絨裝置，其特征在于，在所述第二槽體中設置有泵浦，在所述硅片經(jīng)過所述第二腐蝕區(qū)域的過程中，所述泵浦用于使所述第二槽體中的腐蝕溶液朝向所述硅片的下表面涌動。