[發(fā)明專利]一種在碳纖維紙基底上直接生長碳納米管陣列的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210448832.0 | 申請日： | 2012-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN103253647A | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張晶;王修春;馬婕;劉碩;伊希斌 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東省科學(xué)院新材料研究所 |
| 主分類號： | C01B31/02 | 分類號： | C01B31/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250014 山東省濟(jì)南市歷*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 碳纖維 基底 直接 生長 納米 陣列 方法 | ||
1.一種高密度碳納米管陣列的制備方法，其特征在于：Fe、Co、Ni酸鹽溶液與有機(jī)溶劑混合制備出溶膠并涂覆在碳纖維基底材料上。加熱所述基底至第一溫度并保持預(yù)定時(shí)間，以去除催化劑前驅(qū)體中的有機(jī)物；在保護(hù)氣體下，向反應(yīng)爐內(nèi)通入還原氣體，對所述形成有催化劑前驅(qū)體的基底加熱至第二溫度并保持預(yù)定時(shí)間，以使催化劑前驅(qū)體中的金屬元素還原；向反應(yīng)爐中通入保護(hù)氣體與碳源氣體的混合氣，并加熱至第三溫度，在所述基底的催化劑表面生長出高密度碳納米管陣列。
2.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述基底材料為具有導(dǎo)電性的碳纖維紙材料。
3.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述制備Fe、Co、Ni溶膠的酸鹽溶液為不同濃度的Fe(NO3)3、Co(NO3)2、Ni(NO3)2、Fe2(SO4)3、FeSO4、NiSO4、CoSO4溶液。所述用來制備溶膠的有機(jī)溶劑為正硅酸乙酯、正硅酸甲酯的一種或兩種混合物。
4.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，采用旋涂法和浸漬提拉法在碳纖維紙基底上涂覆。采用旋涂法的旋涂轉(zhuǎn)速為4000-5000轉(zhuǎn)/分鐘，旋涂時(shí)間為30秒-2分鐘；采用浸漬提拉法的提拉速度為10-20cm/分鐘。濕膜在100℃熱處理后重復(fù)浸漬提拉，提拉次數(shù)為3-10次。
5.權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述第一溫度為300-500℃，保持時(shí)間為10-120分鐘。
6.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，通入保護(hù)氣體氣體為氮?dú)狻鍤饣蚱渌栊詺怏w的一種或幾種。
7.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述第二溫度為400-600℃，保持時(shí)間為30-120分鐘。
8.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，通入碳源氣體為甲烷、乙烷、乙炔和乙烯的一種或幾種混合物。
9.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所述第三溫度為750-900℃，保持時(shí)間為15-90分鐘。
10.如權(quán)利要求1所述的碳納米管陣列的制備方法，其特征在于，所制備出的碳納米管陣列為單壁碳納米管陣列、多壁碳納米管陣列中的一種。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于山東省科學(xué)院新材料研究所，未經(jīng)山東省科學(xué)院新材料研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210448832.0/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
