[發明專利]C-平面單晶藍寶石及其板材和由其形成的藍寶石晶片無效
| 申請號： | 201210448547.9 | 申請日： | 2007-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN102965729A | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | V·塔塔拉切科;C·D·瓊斯;S·A·扎內拉;J·W·洛切;F·普拉納迪 | 申請（專利權）人： | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/20 | 分類號： | C30B29/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 平面 藍寶石 及其 板材 形成 晶片 | ||
1.一種C-平面單晶藍寶石板，該藍寶石板的寬度大于或等于5厘米，用基于布拉格衍射的透射X射線衍射形貌法測定，位錯密度小于1000個位錯/厘米2。
2.如權利要求1所述的C-平面單晶藍寶石板，該藍寶石板的寬度大于或等于5厘米，位錯密度小于100個位錯/厘米2。
3.如權利要求1所述的C-平面單晶藍寶石板，該藍寶石板的位錯密度小于10個位錯/厘米2。
4.如權利要求1所述的C-平面單晶藍寶石板，該藍寶石板的寬度大于或等于10厘米。
5.如權利要求1所述的C-平面單晶藍寶石板，該藍寶石板的長度大于10厘米。
6.如權利要求1所述的C-平面單晶藍寶石板，該藍寶石板的長度大于20厘米。
7.如權利要求1所述的C-平面單晶藍寶石板，該藍寶石板的長度大于30厘米。
8.如權利要求1所述的C-平面單晶藍寶石板，該藍寶石板的長度大于30厘米，寬度大于8厘米，厚度小于1厘米。
9.一種由權利要求1所述的板形成的C-平面晶片，該晶片的尺度大于或等于5厘米。
10.如權利要求1所述的C-平面單晶藍寶石板，其特征在于，所述單晶藍寶石板是使用邊緣限制膜進料生長技術形成的。
11.一種藍寶石晶片，用基于布拉格衍射的透射X射線衍射形貌法測定，其位錯密度小于100個位錯/厘米2。
12.如權利要求11所述的藍寶石晶片，其位錯密度小于10個位錯/厘米2。
13.如權利要求11或12所述的藍寶石晶片，其直徑大于或等于5厘米。
14.如權利要求11或12所述的藍寶石晶片，其直徑大于或等于7.5厘米。
15.如權利要求11或12所述的藍寶石晶片，其直徑大于或等于10厘米。
16.單晶藍寶石，其尺度大于1厘米，用基于布拉格衍射的透射X射線衍射形貌法測定，位錯密度小于100個位錯/厘米2。
17.如權利要求16所述的單晶藍寶石，該藍寶石的位錯密度小于10個位錯/厘米2。
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