[發(fā)明專利]用于制造平板顯示器的設(shè)備無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210448244.7 | 申請日: | 2012-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN103107132A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李亨培;趙晃新;安祐正;宋基哲 | 申請(專利權(quán))人: | SNU精密股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283 | 代理人: | 施娥娟;桑傳標(biāo) |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制造 平板 顯示器 設(shè)備 | ||
1.一種用于制造平板顯示器的設(shè)備,該設(shè)備包括:
多個形成有內(nèi)部空間的處理室,在所述內(nèi)部空間中處理至少兩個基板;
傳遞室,該傳遞室沿第一方向布置在所述多個處理室之間,并且所述傳遞室包括傳遞機(jī)器人,該傳遞機(jī)器人在沿垂直于所述第一方向的第二方向直線往復(fù)運(yùn)動時將未處理的基板供給所述處理室或者從所述處理室運(yùn)出已處理的基板;
加載室,該加載室連接到所述傳遞室的一側(cè)并且容納將要供給所述傳遞室的基板;以及
卸載室,該卸載室連接到所述傳遞室的另一側(cè)并且容納從所述傳遞室運(yùn)出的基板,
所述傳遞機(jī)器人在沿所述第二方向直線往復(fù)運(yùn)動時控制所述基板順序地供給所述處理室或者從所述處理室運(yùn)出,并且
在所述處理室中,一個基板受到處理氣體的淀積,并且同時沿所述第二方向傳遞和對齊另一個基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述處理室包括:
本體構(gòu)件,該本體構(gòu)件具有內(nèi)部空間,該內(nèi)部空間包括第一區(qū)域和鄰近所述第一區(qū)域的第二區(qū)域,并且所述本體構(gòu)件在一側(cè)打開以與所述傳遞室連通;
支撐單元,該支撐單元分別安裝在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中,以支撐和對齊傳遞到所述本體構(gòu)件的基板;
淀積源,該淀積源布置在所述本體構(gòu)件的所述內(nèi)部空間中并且將處理氣體噴射到基板上;
驅(qū)動單元,該驅(qū)動單元驅(qū)動所述淀積源沿所述第二方向直線往復(fù)運(yùn)動;以及
控制器,該控制器控制所述驅(qū)動單元,以驅(qū)動所述淀積源在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間往復(fù)運(yùn)動。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,所述控制器控制所述驅(qū)動單元,以重復(fù)在所述第一區(qū)域內(nèi)沿所述第二方向從所述第一區(qū)域的初始位置移動所述淀積源時處理一個基板的工藝以及在所述第二區(qū)域內(nèi)沿所述第二方向朝向所述第二區(qū)域移動所述淀積源并返回所述初始位置時處理另一個基板的工藝,以及
在所述第一區(qū)域的所述基板和所述第二區(qū)域的所述基板都被處理之后,所述傳遞機(jī)器人從所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域運(yùn)出已處理的基板,并且將新的基板供給所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,所述控制器控制所述驅(qū)動單元,以重復(fù)在所述淀積源沿所述第二方向順序地移動到所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域時處理所述第一區(qū)域中的所述基板和所述第二區(qū)域中的所述基板的工藝以及在所述淀積源沿所述第二方向順序地移動到所述第二區(qū)域和所述第一區(qū)域時處理所述第二區(qū)域中的所述基板和所述第一區(qū)域中的所述基板的工藝,以及
在處理所述第一區(qū)域中的所述基板之后并且正在處理所述第二區(qū)域中的所述基板時,所述傳遞機(jī)器人從所述第一區(qū)域運(yùn)出已處理的基板并且將新的基板供給所述第一區(qū)域,然后在處理所述第二區(qū)域中的所述基板之后并且正在處理所述第一區(qū)域中的所述基板時,所述傳遞機(jī)器人從所述第二區(qū)域運(yùn)出已處理的基板并且將新的基板供給所述第二區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述傳遞機(jī)器人通過所述傳遞室將基板從所述加載室供給所述多個處理室中的第一處理室,通過所述傳遞室將在所述第一處理室中完成處理的基板從所述第一處理室運(yùn)出且供給所述多個處理室中的第二處理室,并且通過所述傳遞室將在所述第二處理室中完成處理的基板從所述第二處理室運(yùn)出到所述卸載室。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中,所述淀積源包括分別對應(yīng)于將同時淀積的一種或者多種材料的一個或者多個蒸發(fā)源。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中,所述淀積源布置為多個并且沿所述第二方向間隔開。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述多個處理室彼此間隔開并且沿所述第二方向布置在所述傳遞室的橫向側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其中,所述傳遞室包括兩個傳遞機(jī)器人,并且
所述傳遞機(jī)器人沿所述第一方向彼此間隔開并且布置成沿所述第二方向直線往復(fù)運(yùn)動。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





