[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201210447649.9
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN103177764B
• 公開（公告）日: 2017-11-28
• 發明（設計）人: 金炳烈;金德柱
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 石卓瓊,俞波

1.一種操作半導體存儲器件的方法，包括以下步驟：

將編程數據順序輸入到與四個存儲平面中的至少一個存儲平面的選中的頁相耦接的頁緩沖器，以對選中的頁中包括的選中的存儲器單元編程；

對所述四個存儲平面中的每個存儲平面執行編程操作；

對所述四個存儲平面中的每個存儲平面執行編程驗證操作；以及

在判定所述四個存儲平面中的至少兩個存儲平面的選中的頁已經通過編程驗證操作之后，將用于下一頁的新的編程數據輸入到與所述下一頁耦接的頁緩沖器，同時對其余的存儲平面執行編程操作和編程驗證操作。

2.如權利要求1所述的方法，其中，同時對所述四個存儲平面執行編程操作。

3.如權利要求1所述的方法，其中，將編程數據順序輸入到與四個存儲平面中的至少一個存儲平面的選中的頁相耦接的頁緩沖器的步驟包括：

將所述編程數據順序輸入到各個頁緩沖器中所包括的高速緩存鎖存器。

4.如權利要求3所述的方法，其中，將編程數據順序輸入到頁緩沖器的步驟還包括：

將所述編程數據發送到所述各個頁緩沖器中所包括的主鎖存器。

5.一種操作半導體存儲器件的方法，包括以下步驟：

將編程數據分別輸入到與第一、第二、第三以及第四存儲平面耦接的第一、第二、第三以及第四頁緩沖器組的第N頁中，并對所述第一、第二、第三以及第四存儲平面的所述第N頁每個都執行編程操作；

對所述第N頁每個都執行編程驗證操作；

如果編程驗證操作的結果是所述第一存儲平面和所述第二存儲平面的第N頁被判定成通過編程驗證操作，則將用于第N+1頁的編程數據輸入到所述第一頁緩沖器組和所述第二頁緩沖器組，并對所述第三存儲平面和所述第四存儲平面的第N頁執行編程操作；

如果所述編程驗證操作的結果是所述第三存儲平面和第四存儲平面的第N頁被判定成通過所述編程驗證操作，則將編程數據輸入到所述第三頁緩沖器組和所述第四頁緩沖器組的第N+1頁中，并對所述第一存儲平面和所述第二存儲平面的第N+1頁執行編程操作；以及

如果所述編程驗證操作的結果是所述第一存儲平面、所述第二存儲平面、所述第三存儲平面以及所述第四存儲平面的第N頁被判定成通過編程驗證操作，則利用第N+1頁的編程數據，對所述第一存儲平面、所述第二存儲平面、所述第三存儲平面以及所述第四存儲平面的下一頁執行編程操作。

6.如權利要求5所述的方法，其中，當輸入所述第一頁緩沖器組、所述第二頁緩沖器組、所述第三頁緩沖器組以及所述第四頁緩沖器組的第N頁的編程數據時，將所述編程數據順序輸入到所述第一頁緩沖器組、所述第二頁緩沖器組、所述第三頁緩沖器組以及所述第四頁緩沖器組的各個頁緩沖器中包括的高速緩存鎖存器中。

7.如權利要求6所述的方法，其中，輸入所述第一頁緩沖器組、所述第二頁緩沖器組、所述第三頁緩沖器組以及所述第四頁緩沖器組的第N頁的編程數據的步驟還包括以下步驟：

將編程數據從所述高速緩存鎖存器傳送到在各個頁緩沖器中所包括的主鎖存器。

8.如權利要求7所述的方法，其中，利用傳送到所述主鎖存器中的編程數據，來對所述第一存儲平面、所述第二存儲平面、所述第三存儲平面以及所述第四存儲平面執行編程操作。

9.如權利要求5所述的方法，還包括以下步驟：如果編程驗證操作的結果是所述第一存儲平面、所述第二存儲平面、所述第三存儲平面以及所述第四存儲平面的全部第N頁被判定成未都通過編程驗證操作，或者所述第一存儲平面和所述第二存儲平面中的任何一個存儲平面的任何一個第N頁以及所述第三存儲平面和所述第四存儲平面中的任何一個存儲平面的任何一個第N頁被判定成未通過編程驗證操作，則重復對所述任何一個第N頁的編程操作，同時逐步地升高編程電壓。

10.如權利要求5所述的方法，其中，對所述第三存儲平面和所述第四存儲平面的第N頁執行編程操作的步驟包括：在所述第一存儲平面和所述第二存儲平面的編程驗證操作被禁止判定是否已經通過的狀態下，對所述第三存儲平面和所述第四存儲平面的第N頁執行編程操作，同時逐步地提高編程電壓，直到所述第三存儲平面和所述第四存儲平面的第N頁的編程驗證操作通過編程驗證操作。