[發明專利]一種熱轉印結構

在審

• 申請號: 201210447457.8
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN102931356A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 黃師軒;陳重嘉;卓庭毅;江伯軒
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種熱轉印結構，適用于有機發光器件（Organic?LightEmitting?Device，OLED）的激光誘導熱成像（Laser?Induced?ThermalImaging，LITI）制程，其特征在于，所述熱轉印結構包括：

一轉印層，包括：

一待轉印的發光層；以及

一電子傳輸層（Electron?Transport?Layer，ETL），位于所述待轉印的發光層的上方；以及

一載子傳輸層，設置于所述轉印層與一給體薄膜層之間，

其中，所述給體薄膜層為一電子注入層（Electron?InjectionLayer，EIL），位于所述熱轉印結構的最上方，并且所述載子傳輸層的材質與所述電子傳輸層的材質相同。

2.根據權利要求1所述的熱轉印結構，其特征在于，所述載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉印層貼合熱轉印后制成。

3.根據權利要求1所述的熱轉印結構，其特征在于，所述載子傳輸層的厚度不小于2納米。

4.一種熱轉印結構，適用于有機發光器件（Organic?LightEmitting?Device，OLED）的激光誘導熱成像（Laser?Induced?ThermalImaging，LITI）制程，其特征在于，所述熱轉印結構包括：

一轉印層，包括：

一待轉印的發光層；以及

一空穴傳輸層（Hole?Transport?Layer，HTL），位于所述待轉印的發光層的下方；以及

一載子傳輸層，設置于所述轉印層與一給體薄膜層之間，

其中，所述給體薄膜層為一空穴注入層（Hole?Injection?Layer，HIL），位于所述熱轉印結構的最下方，并且所述載子傳輸層的材質與所述空穴傳輸層的材質相同。

5.根據權利要求4所述的熱轉印結構，其特征在于，所述載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉印層貼合熱轉印前制成。

6.根據權利要求4所述的熱轉印結構，其特征在于，所述載子傳輸層的厚度不小于2納米。

7.一種熱轉印結構，適用于有機發光器件（Organic?LightEmitting?Device，OLED）的激光誘導熱成像（Laser?Induced?ThermalImaging，LITI）制程，其特征在于，所述熱轉印結構包括：

一轉印層，包括：

一待轉印的發光層；

一電子傳輸層（Electron?Transport?Layer，ETL），位于所述待轉印的發光層的上方；以及

一空穴傳輸層（Hole?Transport?Layer，HTL），位于所述待轉印的發光層的下方；

一第一給體薄膜層，位于所述熱轉印結構的最上方；

一第二給體薄膜層，位于所述熱轉印結構的最下方；

一第一載子傳輸層，設置于所述第一給體薄膜層與所述電子傳輸層之間；以及

一第二載子傳輸層，設置于所述第二給體薄膜層與所述空穴傳輸層之間，

其中，所述第一載子傳輸層的材質與所述電子傳輸層的材質相同，所述第二載子傳輸層的材質與所述空穴傳輸層的材質相同。

8.根據權利要求7所述的熱轉印結構，其特征在于，所述第一載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉印層進行貼合熱轉印之后制成，所述第二載子傳輸層以涂布或蒸鍍方式在所述轉印層進行貼合熱轉印之前制成。

9.根據權利要求7所述的熱轉印結構，其特征在于，所述第一給體薄膜層為一電子注入層（Electron?Injection?Layer，EIL），所述第二給體薄膜層為一空穴注入層（Hole?Injection?Layer，HIL）。

10.根據權利要求7所述的熱轉印結構，其特征在于，所述第一載子傳輸層和所述第二載子傳輸層的厚度均不小于2納米。