[發明專利]一種鈦及鈦合金表面多種生長因子緩釋涂層制備方法

有效

• 申請號: 201210447407.X
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN102950102A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 魯雄;王振銘;翁杰;馮波;屈樹新;汪建新
• 申請（專利權）人: 西南交通大學
• 主分類號: B05D7/14
• 分類號: B05D7/14;B05D7/24;A61L27/40;A61L27/34;A61L27/54
• 代理公司: 成都博通專利事務所 51208
• 代理人: 陳樹明

1.一種鈦及鈦合金表面多種生長因子緩釋涂層制備方法，其具體步驟如下：?

A、生長因子的載入：?

A1、配置聚陽離子與多巴胺的濃度均為0.5-2mg/mL的混合溶液；?

A2、將對骨生長有促進作用的多種生長因子逐一分別溶解于濃度為0.5-2mg/mL的聚陰離子溶液中，相應得到多組聚陰離子溶液，每組聚陰離子溶液中均含有一種生長因子，且生長因子的濃度均為0.5-10μg/mL；?

A3、將A2步的含生長因子的多組聚陰離子溶液逐一分別與A1步的混合溶液按3-5：1的體積比混合，并攪拌、離心、冷凍干燥，相應制備出多組帶負電荷的納米顆粒；?

B、在鈦或鈦合金表面上接枝帶負電荷的官能團；?

C、在B步處理后的鈦或鈦合金表面上組裝一層帶正電荷的高分子薄膜；?

D、用A3步得到的任一組帶負電荷的納米顆粒溶于水中，得到納米顆粒濃度為0.5-2mg/mL的溶液，將C步得到的鈦或鈦合金在該溶液中浸泡0.5-24小時，即在鈦或鈦合金的高分子薄膜表面固定一層載有一種生長因子的納米顆粒；?

E、在D步的鈦或鈦合金的表面組裝一層帶正電荷的高分子薄膜；?

F、在E步的表面組裝一層帶負電荷的高分子薄膜；?

G、重復以上C-F步的操作5-50次；且A3步的每組帶負電荷的納米顆粒均至少在一次重復操作中的D步得到了使用。?

2.根據權利要求1所述的一種鈦及鈦合金表面多種生長因子緩釋涂層制備方法，其特征在于：所述的生長因子是BMP-2、VEGF、TGF-β、BMP-7或FGF。?

3.根據權利要求1所述的一種鈦及鈦合金表面多種生長因子緩釋涂層制備方法，其特征在于：所述的聚陽離子是殼聚糖或聚賴氨酸；所述的帶正電荷的高分子薄膜是殼聚糖或聚賴氨酸薄膜。?

4.根據權利要求1所述的一種鈦及鈦合金表面多種生長因子緩釋涂層制備方法，其特征在于：所述的聚陰離子是肝素、海藻酸鈉、透明質酸或硫酸軟骨素；所述的帶負電荷的高分子薄膜是肝素、海藻酸鈉、透明質酸或硫酸軟骨素薄膜。?