[發(fā)明專利]形成埋入式導(dǎo)線的方法及埋入式導(dǎo)線的結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210447327.4 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103377997A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 維偉克·戈帕蘭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南亞科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣桃園縣龜山*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 形成 埋入 導(dǎo)線 方法 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種形成埋入式導(dǎo)線的方法,其特征在于,包括:
提供基底,該基底中有溝槽且上有接觸區(qū)域,其中該溝槽有一末端部分位于該接觸區(qū)域中,且該溝槽中填充有導(dǎo)電層;
形成罩幕層覆蓋該溝槽的該末端部分中的該導(dǎo)電層;以及
以該罩幕層為罩幕回蝕刻該導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成埋入式導(dǎo)線的方法,其特征在于,還包括:
移除該罩幕層;
在該基板上形成介電層;以及
在該介電層中形成至少一個(gè)接觸窗,該接觸窗位于該溝槽的該末端部分中的該導(dǎo)電層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成埋入式導(dǎo)線的方法,其特征在于,還包括:
在移除該罩幕層之后但在形成該介電層之前,在不位在該溝槽的該末端部分中的該導(dǎo)電層之上形成頂蓋層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成埋入式導(dǎo)線的方法,其特征在于,該導(dǎo)電層與該基底以絕緣層相隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成埋入式導(dǎo)線的方法,其特征在于,該埋入式導(dǎo)線是用作字元線。
6.一種埋入式導(dǎo)線的結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
基底,該基底中有溝槽且上有接觸窗,其中該溝槽有一末端部分位于接觸區(qū)域中;以及
導(dǎo)電層,填充于該溝槽中,其中該溝槽的該末端部分中的該導(dǎo)電層的頂部高于不位在該溝槽的該末端部分中的該導(dǎo)電層的頂部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的埋入式導(dǎo)線的結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:
介電層,覆蓋該基底及該導(dǎo)電層;以及
至少一個(gè)接觸窗,位于介電層中,且位于該溝槽的該末端部分中的該導(dǎo)電層上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的埋入式導(dǎo)線的結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括:頂蓋層,位于不位在該溝槽的該末端部分中的該導(dǎo)電層之上。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的埋入式導(dǎo)線的結(jié)構(gòu),其特征在于,還包括絕緣層,該導(dǎo)電層與該基底以該絕緣層相隔。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的埋入式導(dǎo)線的結(jié)構(gòu),其特征在于,該埋入式導(dǎo)線是用作字元線。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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