[發明專利]半導體器件的電容器和寄存器、存儲系統及制造方法

有效

• 申請號: 201210447045.4
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN103165619B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 樸仙美;吳尚炫;李相范
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/08
• 分類號: H01L27/08;H01L27/11573;H01L23/64
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 石卓瓊,俞波

1.一種半導體器件的電容器，包括：

電容器結構，在所述電容器結構上限定有邊緣區和設置在所述邊緣區之間的中心區，所述邊緣區每個都被階梯式圖案化，并且所述電容器結構被配置成包括交替層疊的電極層和電介質層；

犧牲層，所述犧牲層設置在所述電容器結構的所述邊緣區中的各個電極層內；以及

支撐插塞，所述支撐插塞形成在所述電容器結構的所述中心區中，并且被配置成穿通所述電極層和所述電介質層。

2.如權利要求1所述的電容器，還包括：

接觸插塞，所述接觸插塞與在所述邊緣區處的所述電極層耦接，其中，所述接觸插塞中的至少一個形成在所述電容器結構的每層中；以及

線，所述線與各個接觸插塞耦接。

3.如權利要求1所述的電容器，還包括：

第一縫隙，所述第一縫隙形成在所述電容器結構的所述中心區中，并且所述第一縫隙每個都被設置在所述支撐插塞之間；

一個或更多個第二縫隙，所述一個或更多個第二縫隙形成在所述電容器結構的邊緣區中；以及

絕緣層，所述絕緣層掩埋在所述第一縫隙和所述一個或更多個第二縫隙中。

4.如權利要求3所述的電容器，其中：

所述第一縫隙每個都具有線形，以及

所述第二縫隙每個都具有孔形。

5.一種半導體器件的寄存器，包括：

寄存器結構，在所述寄存器結構中限定有邊緣區和設置在所述邊緣區之間的中心區，所述邊緣區每個都被階梯式圖案化，并且所述寄存器結構被配置成包括交替層疊的寄存器層和層間絕緣層；

犧牲層，所述犧牲層設置在所述寄存器結構的所述邊緣區中的各個寄存器層內；以及

支撐插塞，所述支撐插塞形成在所述寄存器結構的所述中心區中，并且被配置成穿通所述寄存器層和所述層間絕緣層。

6.如權利要求5所述的寄存器，還包括：

接觸插塞，所述接觸插塞與在所述邊緣區處的所述寄存器層耦接，其中，所述接觸插塞中的至少一個形成在所述電容器結構的每層中；以及

線，所述線被配置成將形成在兩個連續的層中的所述接觸插塞耦接。

7.如權利要求5所述的寄存器，還包括：

第一縫隙，所述第一縫隙形成在所述寄存器結構的所述中心區中，并且每個第一縫隙被設置在所述支撐插塞之間；

一個或更多個第二縫隙，所述一個或更多個第二縫隙形成在所述寄存器結構的所述邊緣區中；以及

絕緣層，所述絕緣層掩埋在所述第一縫隙和所述一個或更多個第二縫隙中。

8.如權利要求7所述的寄存器，其中：

所述第一縫隙每個都具有線形，以及

所述第二縫隙每個都具有孔形。

9.一種存儲系統，包括：

非易失性存儲器件，所述非易失性存儲器件被配置成包括電容器，所述電容器包括電容器結構、犧牲層以及支撐插塞，在所述電容器結構上限定有邊緣區和在所述邊緣區之間的中心區，所述邊緣區每個都被階梯式圖案化，并且所述電容器結構被配置成包括交替層疊的電極層和電介質層，所述犧牲層設置在所述電容器結構的所述邊緣區中的各個電極層內，所述支撐插塞形成在所述電容器結構的所述中心區中，并且被配置成穿通所述電極層和所述電介質層；以及

存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成控制非易失性存儲器件。

10.一種存儲系統，包括：

非易失性存儲器件，所述非易失性存儲器件被配置成包括寄存器，所述寄存器包括寄存器結構、犧牲層以及支撐插塞，在所述寄存器結構上限定有邊緣區和在所述邊緣區之間的中心區，所述邊緣區每個都被階梯式圖案化，并且所述寄存器結構被配置成包括交替層疊的寄存器層和層間絕緣層，所述犧牲層設置在所述寄存器結構的所述邊緣區中的各個寄存器層內，所述支撐插塞形成在所述寄存器結構的所述中心區中，并且被配置成穿通所述寄存器層和所述層間絕緣層；以及

存儲器控制器，所述存儲器控制器被配置成控制所述非易失性存儲器件。