[發(fā)明專利]亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210446936.8
• 申請(qǐng)日: 2012-11-09
• 公開（公告）號(hào): CN103809238A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 武愛民;甘甫烷;李浩;盛振;王曦
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇尚飛光電科技有限公司;中科院南通光電工程中心;中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
• 主分類號(hào): G02B6/125
• 分類號(hào): G02B6/125;G02B6/13;G02B6/136
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種制備亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)的方法，其特征在于，所述制備亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)的方法至少包括：

A）在含氧基底表面沉積硬掩膜；

B）在所述硬掩膜表面制作出Y型周期性光刻膠圖形層；

C）以該Y型周期性光刻膠圖形層為掩膜制作出Y型周期性硬掩膜圖形層；

D）以Y型周期性硬掩膜圖形層為掩膜對(duì)所述含氧基底的頂層進(jìn)行刻蝕來形成能傳輸亞波長(zhǎng)波的Y型周期性柱體結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)的方法，其特征在于：以該周期性Y型光刻膠圖形層為掩膜、采用反應(yīng)離子束刻蝕或者離子束刻蝕來形成Y型周期性硬掩膜圖形層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)的方法，其特征在于：以Y型周期性硬掩膜圖形層為掩膜、采用深反應(yīng)離子束刻蝕或反應(yīng)離子束刻蝕對(duì)所述含氧基底的頂層進(jìn)行刻蝕來形成能傳輸亞波長(zhǎng)波的Y型周期性柱體結(jié)構(gòu)。

4.一種亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)，其特征在于，所述亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)至少包括：含氧基底，其頂層被刻蝕成形成能傳輸亞波長(zhǎng)波的Y型周期性柱體結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)，其特征在于：所述含氧基底為絕緣體上的硅、絕緣體上的硅鍺或者絕緣體上的鍺。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)，其特征在于：Y型周期性柱體結(jié)構(gòu)中的單個(gè)柱體成圓柱形。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)，其特征在于：Y型周期性柱體結(jié)構(gòu)中的單個(gè)柱體的半徑范圍是25納米~200納米。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)，其特征在于：Y型周期性柱體結(jié)構(gòu)中的柱體排列周期是柱體半徑的2~4倍。

9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)，其特征在于：含氧基底的頂層厚度范圍在0.5~10微米。

10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)，其特征在于：含氧基底的氧化硅埋層厚度為0.5~3微米。

11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)，其特征在于：Y型周期性柱體結(jié)構(gòu)中的每個(gè)分支所包含的柱體超過5個(gè)。

12.權(quán)利要求4所述的亞波長(zhǎng)Y分支波導(dǎo)，其特征在于：Y型周期性柱體結(jié)構(gòu)中的兩分支的夾角在0-180度之間。