[發(fā)明專利]組分漸變Al_yGa_1-yN緩沖層的氮化物高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)無效

申請?zhí)枺?/td>	201210446920.7	申請日：	2012-11-09
公開（公告）號：	CN102969341A	公開（公告）日：	2013-03-13
發(fā)明（設(shè)計）人：	彭大青;李忠輝	申請（專利權(quán)）人：	中國電子科技集團公司第五十五研究所
主分類號：	H01L29/201	分類號：	H01L29/201;H01L29/778;H01L29/06
代理公司：	南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204	代理人：	柏尚春
地址：	210016 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	組分漸變 al sub ga 緩沖氮化物電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)
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【權(quán)利要求書】：

1.一種組分漸變Al_yGa_1-yN緩沖層的氮化物高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括襯底層，該襯底層上從下至上依次生長有成核層、緩沖層、溝道層和勢壘層，其中：?

所述襯底層為藍寶石、SiC或Si；?

所述成核層為ALN、GaN或AlGaN；?

所述溝道層為GaN；?

所述勢壘層為III-V族氮化物多元合金薄膜；?

所述緩沖層為Al_yGa_1-yN，其中Al組分含量沿成核層向溝道層方向由0漸變到y(tǒng)，y為0.02～0.08。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述組分漸變Al_yGa_1-yN緩沖層的氮化物高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述Al_yGa_1-yN緩沖層的厚度為0.5～3.0μm。?

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述組分漸變Al_yGa_1-yN緩沖層的氮化物高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述溝道層厚度為10～500nm。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述組分漸變Al_yGa_1-yN緩沖層的氮化物高電子遷移率晶體管外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述Al_yGa_1-yN緩沖層的生長溫度為700～1200℃。?

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