[發明專利]有機發光器件、有機發光二極管顯示裝置及制造方法

有效

• 申請號: 201210445848.6
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN103811669A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 熊志勇;曾章和;趙本剛
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 馬曉亞

技術領域

本發明涉及光電半導體制造領域，尤其涉及一種有機發光器件、有機發光二極管顯示裝置及制造方法。

背景技術

有機發光器件（OLED）由于其電壓需求低且省電效率高，加上反應快、重量輕、厚度薄，構造簡單，成本低等特點在照明以及顯示領域獲得廣泛應用。

有源驅動有機發光器件（AMOLED）為每個像素配備具有開關功能的多晶硅薄膜晶體管（P-Si?TFT），而且每個像素配備一個電荷存儲電容,來驅動有機發光器件進行發光。由于有源驅動有機發光器件屬于靜態驅動方式，具有存儲效應，可進行100%負載驅動，這種驅動不受掃描電極數的限制，可以對各像素獨立進行選擇性調節，因此，有源驅動有機發光器件易于實現高分辨率和色彩化,是有機發光器件的重要發展方向。

目前，越來越多的有源驅動有機發光器件采用頂發射結構，這種結構具有色純度更好、開口率更高、壽命更長等優越性能。圖1是現有的頂發射有源驅動有機發光器件的結構示意圖。如圖1所示，頂發射有源驅動有機發光器件包括玻璃襯底11，形成在玻璃襯底上的多晶硅薄膜晶體管12，覆蓋所述多晶硅薄膜晶體管12的平坦化層13，形成在平坦化層13上且穿過所述平坦化層13與所述多晶硅薄膜晶體管12連接的反射陽極14，形成在反射陽極14上的發光層15，形成在發光層上的半透明導電層16，形成在半透明導電層16上的緩沖層17以及形成在緩沖層上的封裝玻璃層18。發光層15在受激發光時，一部分光直接穿透半透明導電層16從頂部發射，一部分光發射到底部的反射陽極后，被向上反射穿透半透明導電層16從而從頂部發射。當然，光到達頂部的半透明導電層時，部分光線會被反射，由此，頂部的半透明導電層與底部的反射陽極實際上形成一個光部分反射微腔結構。

但是，在現有的頂發射有源驅動有機發光器件結構中，因為光在器件內部的傳輸模式不同，其光譜很窄，且，隨著觀測角增大，亮度逐漸變小，光譜逐漸出現藍移。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提出一種有機發光器件、有機發光二極管顯示裝置及制造方法，使所述有機發光器件和有機發光二極管顯示裝置具有更廣的視角，克服隨著觀測角增大，亮度逐漸變小，光譜逐漸出現藍移的缺陷。

本發明公開了一種有機發光器件，其特征在于，所述有機發光器件包括：襯底；形成在襯底上的反射電極；形成在反射電極上的平坦化的第一導電層；形成在所述平坦化的第一導電層上的有機發光層；以及形成在有機發光層上的第二導電層；

所述反射電極被圖形化以使得其表面到所述第二導電層的距離由所述反射電極的中間部分到邊緣部分逐漸增大；

其中，所述第一導電層為透明導電層，所述第二導電層為半透明導電層，所述反射電極與所述有機發光器件一一對應。

優選地，所述反射電極被圖形化以使得截面為三角形、梯形、弧形、階梯形或其組合。

優選地，所述襯底包括圖形化的有機材料層，所述反射電極為形成在所述圖形化的有機材料層表面的金屬層。

優選地，所述有機發光層包括順序堆疊在第一導電層上的空穴注入層、空穴傳輸層、光發射層、電子傳輸層以及電子注入層，所述平坦化的第一導電層為陽極電極，所述第二導電層為陰極電極。

優選地，所述平坦化的第一導電層的材料為ITO、IZO、ZnO或其組合，所述第二導電層的材料為Ag、Mg或其組合。

優選地，所述有機發光層包括順序堆疊在第一導電層上的電子注入層、電子傳輸層、光發射層、空穴傳輸層以及空穴注入層，所述平坦化的第一導電層為陰極電極，所述第二導電層為陽極電極。

優選地，所述平坦化的第一導電層的材料為Ag、Mg或其組合，所述第二導電層的材料為Ag、Mg或其組合。

優選地，所述反射電極的材料為Ag、Al或其組合。

本發明還公開了一種有機發光二極管顯示裝置，包括襯底，形成在所述襯底上的多個像素單元，每個所述像素單元包括：形成在所述襯底上的反射電極；形成在反射電極上的平坦化的第一導電層；形成在所述平坦化的第一導電層上的有機發光層；以及形成在所述有機發光層上的第二導電層；

其中，所述反射電極被圖形化以使得其表面到所述第二導電層的距離由所述反射電極的中間部分到邊緣部分逐漸增大。

其中，所述第一導電層為透明導電層，所述第二導電層為半透明導電層，且所述像素單元與所述反射電極一一對應。

優選地，所述襯底包括基板，形成于所述基板上的多條掃描線，與所述掃描線絕緣交叉的多條數據線，所述像素單元形成于相鄰掃描線和相鄰數據線所圍的像素區域內。