[發明專利]一種等離子反應器及其處理方法

有效

• 申請號: 201210445691.7
• 申請日: 2012-11-08
• 公開（公告）號: CN103811260A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 葉如彬;黃智林
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67;H05H1/46
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種等離子反應器，包括：一個反應腔，反應腔內包括一個基座,基座內包括一個下電極，與基座相對的一個上電極，上電極外周圍圍繞有一個絕緣材料環其特征在于：

所述上電極和絕緣材料環的下表面鍍有一層絕緣材料層，一個點燃電極植入所述絕緣材料環，所述點燃電極通過一個可控開關連接選擇性的連接到一個高壓電源。

2.如權利要求1所述的等離子反應器，其特征在于所述高壓電源輸出電壓大于500V小于10000V。

3.如權利要求1所述的等離子反應器，其特征在于所述絕緣材料層厚度大于10微米小于5毫米。

4.如權利要求1所述的等離子反應器，其特征在于所述點燃電極與上電極之間距離大于1毫米小于10毫米。

5.如權利要求1所述的等離子反應器，其特征在于所述絕緣材料環內還包括一個第二點燃電極，且連接到接地端。

6.如權利要求5所述的等離子反應器，其特征在于所述點燃電極和第二點燃電極之間的距離小于10毫米。

7.如權利要求1所述的等離子反應器，其特征在于還包括一個環狀點燃電極位于上電極下方環繞上下電極間的處理空間，所述環狀點燃電極到上電極的距離小于到基座上方晶圓的距離，且所述點燃電極表面鍍有絕緣材料層。

8.一種等離子反應器，所述反應器包括：一個反應腔，反應腔內包括一個基座基座內包括一個下電極，與基座相對的一個上電極，上電極外周圍圍繞有一個絕緣材料環其特征在于：

所述上電極的下表面鍍有一層絕緣材料層，包括一個環狀點燃電極位于上電極下方并環繞上下電極間的處理空間，所述環狀點燃電極到上電極的距離小于到基座上方晶圓的距離，且所述點燃電極表面鍍有絕緣材料層，所述點燃電極通過一個可控開關連接選擇性的連接到一個高壓電源。

9.如權利要求8所述的等離子反應器，其特征在于所述高壓電源輸出電壓大?于500V小于10000V，且所述環狀點燃電極到上電極的距離小于10毫米。

10.一種等離子反應器處理方法，所述反應器包括一個反應腔，反應腔內包括一個基座基座內包括一個下電極，與基座相對的一個上電極，上電極外周圍設置有一個點燃電極，所述處理方法包括步驟：

通入反應氣體達到一個點燃氣壓，進入點燃步驟，施加一個500-10000V高壓到所述點燃電極產生微等離子；

施加一個射頻電壓到所述上電極和下電極之一，進入等離子處理步驟。

11.如權利要求10所述的處理方法，其特征在于進入等離子處理步驟時調整反應腔內的氣壓達到處理氣壓，所述處理氣壓小于等于所述點燃氣壓。

12.如權利要求10所述的處理方法，其特征在于施加所述高壓到所述點燃電極的時間早于所述施加射頻電壓的施加t秒，且0≤t≤1。?