[發明專利]離子注入制作超低表面摻雜濃度的低方阻硅太陽電池方法無效
| 申請號： | 201210445413.1 | 申請日： | 2012-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN103811582A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 周利榮;沈培俊;李懷輝;張忠衛;胡劍豪 | 申請（專利權）人： | 上海神舟新能源發展有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 201112 上海市閔行*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 離子 注入 制作 表面 摻雜 濃度 低方阻硅 太陽電池 方法 | ||
1.離子注入制作超低表面摻雜濃度的低方阻硅太陽電池方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
(1)對P型單晶硅片的表面進行清洗制絨；
(2)采用離子注入的方法對制絨后的單晶硅片的一面注入磷元素，形成PN結；
(3)對單晶硅片進行高溫退火并生長氧化層；
(4)在N型表面繼續沉積一層鈍化/減反膜；
(5)絲網印刷正電極及背面電極并烘干；
(6)經過燒結處理制作得到超低表面摻雜濃度的低方阻硅太陽電池。
2.根據權利要求1所述的離子注入制作超低表面摻雜濃度的低方阻硅太陽電池方法，其特征在于，步驟(1)中所述的清洗制絨制作得到的絨面為尺寸在0.1～100微米的金字塔、倒金字塔或凹坑狀結構所形成的表面。
3.根據權利要求1所述的離子注入制作超低表面摻雜濃度的低方阻硅太陽電池方法，其特征在于，步驟(2)具體包括以下步驟：將硅片表面充分清洗后，使用離子注入機將P離子以5～30KeV的注入能量分1～8次掃描植入硅片，隨后清洗硅片表面，在退火后硅片方阻控制在50～90Ω.cm。
4.根據權利要求3所述的離子注入制作超低表面摻雜濃度的低方阻硅太陽電池方法，其特征在于，第一次清洗采用氨水/雙氧水、HCl/HF對硅片表面進行充分清洗。
5.根據權利要求3所述的離子注入制作超低表面摻雜濃度的低方阻硅太陽電池方法，其特征在于，第二次清洗采用氨水/雙氧水、硫酸/雙氧水、鹽酸/雙氧水、氫氟酸對硅片表面進行清洗。
6.根據權利要求1所述的離子注入制作超低表面摻雜濃度的低方阻硅太陽電池方法，其特征在于，步驟(3)中所述的高溫退火的溫度為850～900℃。
7.根據權利要求1所述的離子注入制作超低表面摻雜濃度的低方阻硅太陽電池方法，其特征在于，步驟(6)所述的燒結處理的溫度為850～1000℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
