[發明專利]透射式電子束泵浦的發光管無效
| 申請號: | 201210445111.4 | 申請日: | 2012-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN102983496A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 張學淵;鐘偉杰;趙健;夏忠平 | 申請(專利權)人: | 上海顯恒光電科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01S5/04 | 分類號: | H01S5/04;H01S5/34 |
| 代理公司: | 上海精晟知識產權代理有限公司 31253 | 代理人: | 何新平 |
| 地址: | 201210 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透射 電子束 發光 | ||
1.透射式電子束泵浦的發光管包括一電致發光半導體機構,所述電致發光半導體機構生成在一底座上,其特征在于,還包括一激勵源,所述激勵源采用一電子槍系統;
所述電致發光半導體機構設置在所述電子槍系統的靶向方向上。
2.根據權利要求1所述的透射式電子束泵浦的發光管,其特征在于:所述電致發光半導體機構包含至少兩層層疊的電致發光半導體層,構成半導體發光結構。
3.根據權利要求2所述的透射式電子束泵浦的發光管,其特征在于:相鄰的兩層所述電致發光半導體層為禁帶寬度不同的電致發光半導體層,從而在新組成的材料的能帶結構上形成單勢能阱或是多勢能阱的結構。
4.根據權利要求3所述的透射式電子束泵浦的發光管,其特征在于:所述半導體發光結構包括至少兩種不同材質的所述電致發光半導體層,且包含至少三層所述電致發光半導體層,相鄰的兩層所述電致發光半導體層為不同材質的所述電致發光半導體層。
5.根據權利要求3所述的透射式電子束泵浦的發光管,其特征在于:所述半導體發光結構包括兩種不同材質的所述電致發光半導體層,且包含至少三層所述電致發光半導體層,相鄰的兩層所述電致發光半導體層為不同材質的所述電致發光半導體層,即,兩種材質的所述電致發光半導體層交替排列構成層疊式結構。
6.根據權利要求1、2、3、4或5所述的透射式電子束泵浦的發光管,其特征在于:所述電子槍系統包括一真空腔室,自所述真空腔室一端向另一端依次排布有電子槍、電學控制機構、電磁聚焦機構、電磁偏轉掃描機構、電致發光半導體機構、光出射口;
所述電子槍發出的電子束依次經過電學控制機構、電磁聚焦機構、電磁偏轉掃描機構,形成呈現掃描狀態的高能電子束,打入所述電致發光半導體機構,為光發射提供能量。
7.根據權利要求6所述的透射式電子束泵浦的發光管,其特征在于:所述電致發光半導體機構依次為反射鏡、限制層、至少兩層所述電致發光半導體層、限制層,以及所述底座,所述底座采用透光材質;所述底座固定在所述出光口處,并朝向外側;所述反射鏡朝向所述電子槍方向。光線穿過透光的底座發射到外界。
8.根據權利要求6所述的透射式電子束泵浦的發光管,其特征在于:還包括一電致發光半導體機構冷卻系統,所述電致發光半導體機構冷卻系統包括歧管、熱交換系統、冷卻液,所述冷卻液設置在所述歧管內,所述熱交換系統連接所述歧管的入口和出口,所述歧管包括設置在所述電致發光半導體機構周邊的周邊歧管。
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