[發明專利]拋光液及應用該拋光液對CdS晶片拋光的拋光方法

無效

• 申請號: 201210444934.5
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN102952467A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 李暉;徐永寬;程紅娟
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十六研究所
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02;B24B37/04
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 田衛平

1.一種用于化學機械拋光的拋光液，其特征在于，所述拋光液包括用于粗拋的拋光液和用于精拋的拋光液；其中：

所述粗拋的拋光液包括：納米磨料5~10wt%，氧化劑為1.5~3wt%，表面活性劑0.01wt%，PH調節劑，余量為去離子水，粒度為20~50nm，PH值為9.5；

所述精拋的拋光液包括：納米磨料1~5wt%，氧化劑為0.5~1.5wt%，表面活性劑0.01wt%，PH調節劑，余量為去離子水，粒度為10~30nm，PH值為9.5。

2.根據權利要求1所述的拋光液，其特征在于，所述納米磨料包括二氧化硅，或者二氧化硅和氧化鈰的混合物，當所述納米磨料為二氧化硅和氧化鈰時，二氧化硅與氧化鈰的重量比例大于4:1。

3.根據權利要求1或2所述的拋光液，其特征在于，PH值調節劑包括無機溶液和有機溶液，其中，所述無機溶液與所述有機溶液體積比1：1~5，所述無機溶液為氫氧化鉀和氫氧化鈉中的一種或兩種，所述有機溶液為三異丙醇胺和三乙醇胺中的一種或兩種混合物。

4.根據權利要求1或2所述的拋光液，其特征在于，所述氧化劑為次氯酸鈉或者是次氯酸鈉和雙氧水的混合物，當所述氧化劑為次氯酸鈉和雙氧水的混合物時，次氯酸鈉與雙氧水的體積比例大于5:1。

5.根據權利要求1或2所述的拋光液，其特征在于，所述表面活性包括脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯酰胺和多元醇中的一種或多種混合物。

6.一種應用上述任意一種所述的拋光液對CdS晶片進行化學機械拋光的方法，其特征在于，該方法包括：對待拋光的CdS晶片利用粗拋拋光液進行粗拋，以及對粗拋后的CdS晶片利用精拋拋光液進行精拋；

其中，進行粗拋拋光和精拋拋光時，拋光壓力為60~120g/cm²，轉速60~100轉/分鐘，對應拋光液的流量5~100ml/min。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述粗拋的拋光液的流量為50~100ml/min。

8.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述精拋的拋光液的流量為5~10ml/min。

9.根據權利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述精拋和粗拋的拋光墊采用為FIWEL?N0054型合成革拋光墊。