[發明專利]一種用于離子引出的引出抑制電極

無效

• 申請號: 201210444831.9
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN103811252A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 李幸夫
• 申請（專利權）人: 北京中科信電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/04;H01J37/30
• 代理公司: 長沙正奇專利事務所有限責任公司 43113
• 代理人: 馬強

技術領域

本發明涉及一種半導體制造裝備離子注入機引出電極中引出抑制電極裝備，其針對以往引出電極工作時，引出離子打到地電極及以后的管壁上所產生的二次電子被反加速進入離子源放電室而對其造成的影響，能可靠的抑制住二次電子的反彈，并為引出離子的純度及聚焦做出有效的保障。

技術背景

離子注入機是半導體工藝中離子摻雜的典型設備，離子源產生需要摻雜的離子束，離子束再經過質量分析、校正、加速，傳輸到處于靶室終端工藝腔體的硅片表面。

1.在晶片的離子注入工藝中，束流的穩定性及其純度要求愈來愈高。而這種要求直接影響半導體領域整體的注入質量，主要體現在以下幾個方面：

2.在束流的注入中，離子劑量均勻的注入到晶片上。注入束流的不穩定性會引起注入的失敗。

3.對于注入工藝，低能量大速流的離子注入機是發展的方向，束流的均勻性要求也越來越高。

4.在離子注入中，要求束流均勻性的同時，也要求加強束流的控制力，阻隔雜質離子，從而防止因能量污染引發的失敗。

5.隨著半導體集成電路制造工藝越來越微細化，對半導體制造設備的性能要求也就越來越高，此時要求具有較高的束流純度，從而避免在設備工作時對部件造成的損傷。

發明內容

本發明公開了離子注入機系統中一種用于離子引出的引出抑制電極裝置，其針對以往引出電極工作時，引出離子打到地電極及以后的管壁上所產生的二次電子被反加速進入離子源放電室而對其造成的影響，能可靠的抑制住二次電子的反彈，并為引出離子的純度及聚焦做出有效的保障。本發明通過以下方案實現：

1.一種應用于離子引出的引出抑制電極的裝置，包括：沉孔(1)、引束出口(2)、高純石墨電極(3)、螺紋孔(4)、電極連接板(5)。

2.一種應用于離子引出的引出抑制電極的裝置，高純石墨電極(3)的沉孔(1)與電極連接板(5)的螺紋孔(4)通過螺釘相連起到固定的作用。引束出口(2)提供離子運動通道，被篩選出的離子將打到抑制電極上，被抑制電極吸收，這樣提高了束流的純度，保證測量束流的精度。

3.此滑動密封板所呈現的優勢體現在：

I.簡單可靠，易于加工制造；

II.提高束流的純度，保證測量束流的精度；

III.有一定的聚焦作用。

附圖說明

圖1為引出抑制電極

圖2為引出抑制電極連接裝配體

具體實施方式

下面結合附圖1和2具體實施例對本發明作進一步介紹，但不作為對本發明的限定。

引出抑制電極和電極連接板別如圖1、圖2所示。通過螺釘固定電極連接板(5)，高純石墨電極(3)的沉孔(1)與電極連接板(5)的螺紋孔(4)共同固定高純電極(3)，保證引出抑制電極穩固。引束出口(2)提供離子運動通道。

本發明的特定實施例已對本發明的內容做了詳盡說明。對本領域一般技術人員而言，在不背離本發明精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都構成對本發明專利的侵犯，將承擔相應的法律責任。