[發明專利]一種平行透鏡閉環電源的控制方法

無效

• 申請號: 201210444822.X
• 申請日: 2012-11-09
• 公開（公告）號: CN103809431A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 萬偉
• 申請（專利權）人: 北京中科信電子裝備有限公司
• 主分類號: G05B11/42
• 分類號: G05B11/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體器件制造電源控制系統，尤其涉及離子注入機的一種平行透鏡閉環電源的控制方法。

背景技術

半導體集成電路制造工藝已發展到12英寸晶片、納米技術節點時期。隨著晶圓片尺寸越來越大，單元器件尺寸越來越小，對半導體工藝設備的性能要求也就越來越高。離子注入機是半導體集成電路器件制造工藝中必不可少的關鍵設備。為了提高離子注入機的性能，使其滿足現代大晶圓片、納米器件生產工藝的要求和適應將來半導體工藝技術的發展，必須要開發高效的全自動控制系統。

離子控制器中，平行透鏡磁場控制，尤為重要，而電源的控制直接影響磁場。通過平行透鏡閉環電源的控制方法，可以多次調整磁場，降低誤差。

發明內容

本發明是針對離子注入機現有技術中平行透鏡閉環電源的控制，為了更加準確的控制平行透鏡電源。

本發明通過以下技術方案實現：

1.根據引束要求，設置平行透鏡輸入值(1)。

2.其中平行透鏡輸入值(1)通過PSI1(2)的D/A轉換，通過改變電源值，間接改變磁場，在平行透鏡中通過高斯計得到的磁場值(5)經過PSI2(6)的A/D轉換，之后經過PID算法計算得到的高斯值(8)。

3.通過比較平行透鏡的輸入值(1)和PID算法得到的高斯值(8)，如果平行透鏡的輸入值過高，則增大電源值，從而使磁場增強，也使PID算法得到的高斯值增加。如果平行透鏡的輸入值過低，則減小電源值，從而使磁場減弱，也使PID算法得到的高斯值減小。通過形成閉環，多次校準，調節平行透鏡電源。通過平行透鏡輸入值(1)和PID算法得到的高斯值(8)進行比較，使得PID算法得到的高斯值無限接近輸入值。

本發明具有如下顯著優點：

1.通過平行透鏡輸入值(1)和PID算法得到的高斯值(8)多次比較校準，得到高斯值無限接近輸入值，有效的減少誤差。

附圖說明

圖1為離子注入機平行透鏡電源控制流程圖。

圖2為離子注入機平行透鏡電源校準說明圖。

具體實施方式

下面結合附圖1和附圖2對本發明作進一步的介紹，但不作為對本發明的限定。

如圖1中所示，根據引束要求，設置平行透鏡輸入值(1)。其中平行透鏡輸入值(1)通過PSI1(2)的D/A轉換，通過改變電源值，間接改變磁場，在平行透鏡中通過高斯計得到的磁場值(5)經過PSI2(6)的A/D轉換，之后經過PID算法計算得到的高斯值(8)。通過比較平行透鏡的輸入值(1)和PID算法得到的高斯值(8)。通過平行透鏡輸入值(1)和PID算法得到的高斯值(8)進行比較，使得PID算法得到的高斯值無限接近輸入值。

如圖2中所示，橫坐標為時間(T)。縱坐標為高斯值。平行橫坐標的直線表示平行透鏡輸入值，曲線為PID算法得到的高斯值，通過比較值。具體方法為：如果平行透鏡的輸入值過高，則增大電源值，從而使磁場增強，也使PID算法得到的高斯值增加。如果平行透鏡的輸入值過低，則減小電源值，從而使磁場減弱，也使PID算法得到的高斯值減小。最后使PID算法得到的高斯值無限接近輸入值。

本發明專利的特定實施例已對本發明專利的內容做了詳盡說明。對本領域一般技術人員而言，在不背離本發明專利精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動，都構成對本發明專利的侵犯，將承擔相應的法律責任。