[發(fā)明專利]外延生長(zhǎng)設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210444086.8
• 申請(qǐng)日: 2012-11-08
• 公開（公告）號(hào): CN103806094A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董志清
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): C30B25/10
• 分類號(hào): C30B25/10;C30B25/08
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種外延生長(zhǎng)設(shè)備，其包括反應(yīng)腔室和加熱單元，其特征在于，所述反應(yīng)腔室的腔室側(cè)壁采用石英制作，所述加熱單元圍繞在所述腔室側(cè)壁的外側(cè)，并透過(guò)所述腔室側(cè)壁朝向所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部輻射熱量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延生長(zhǎng)設(shè)備，其特征在于，所述加熱單元包括電阻絲。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延生長(zhǎng)設(shè)備，其特征在于，所述外延生長(zhǎng)設(shè)備還包括分離驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，用以驅(qū)動(dòng)所述電阻絲沿所述反應(yīng)腔室的徑向移動(dòng)，以使所述電阻絲靠近或遠(yuǎn)離所述腔室側(cè)壁。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的外延生長(zhǎng)設(shè)備，其特征在于，所述加熱單元還包括圍繞在所述腔室側(cè)壁的外側(cè)的支撐體，所述支撐體為分體結(jié)構(gòu)，且所述支撐體為由至少兩個(gè)子支撐體沿所述腔室側(cè)壁的周向拼接而成的環(huán)形結(jié)構(gòu)；

在每個(gè)所述子支撐體內(nèi)設(shè)置有所述電阻絲；

所述分離驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)與所述子支撐體連接，用以驅(qū)動(dòng)各個(gè)子支撐體沿所述反應(yīng)腔室的徑向移動(dòng)，以使各個(gè)子支撐體同時(shí)靠近或遠(yuǎn)離所述腔室側(cè)壁。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的外延生長(zhǎng)設(shè)備，其特征在于，設(shè)置在每個(gè)所述子支撐體內(nèi)的所述電阻絲的數(shù)量與將所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部空間沿其軸向所劃分的子空間的數(shù)量相同，且所述電阻絲的設(shè)置位置與所述子空間所在的位置一一對(duì)應(yīng)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延生長(zhǎng)設(shè)備，其特征在于，所述電阻絲的數(shù)量與將所述反應(yīng)腔室的內(nèi)部空間沿其軸向所劃分的子空間的數(shù)量相同，且所述電阻絲的設(shè)置位置與所述子空間所在的位置一一對(duì)應(yīng)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的外延生長(zhǎng)設(shè)備，其特征在于，所述外延生長(zhǎng)設(shè)備還包括控制單元，用以獨(dú)立地控制各個(gè)電阻絲的加熱功率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延生長(zhǎng)設(shè)備，其特征在于，在所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有用于承載晶片的托盤，所述托盤的數(shù)量為兩個(gè)以上，并且兩個(gè)以上的所述托盤沿所述反應(yīng)腔室的軸向間隔設(shè)置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延生長(zhǎng)設(shè)備，其特征在于，在所述反應(yīng)腔室內(nèi)設(shè)置有用于承載晶片的托盤，所述托盤的數(shù)量為一個(gè)。