[發明專利]低溫共沉淀法合成超薄稀土層狀Ln2(OH)5NO3·nH2O納米片的方法無效
| 申請號: | 201210444083.4 | 申請日: | 2012-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN102942202A | 公開(公告)日: | 2013-02-27 |
| 發明(設計)人: | 李繼光;武曉鸝;朱琦;韓秀梅;李曉東;霍地;劉紹宏;孫偉;孫旭東 | 申請(專利權)人: | 東北大學 |
| 主分類號: | C01F17/00 | 分類號: | C01F17/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 沈陽東大專利代理有限公司 21109 | 代理人: | 李運萍 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低溫 共沉淀 合成 超薄 稀土 層狀 ln sub oh no nh 納米 方法 | ||
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技術領域
本發明屬于材料科學領域,特別涉及低溫共沉淀法合成超薄稀土層狀Ln2(OH)5?NO3·nH2O納米片的方法。
背景技術
通式為Ln8(OH)20(Am-)4/m·yH2O或Ln2(OH)5(Am-)1/m·(y/4)H2O(Ln:鑭系元素;A:電荷平衡陰離子;m=1~3;y=6~7)的稀土層狀氫氧化物(Layered?rare-earth?hydroxide,LRH)具有陰離子交換性和可剝離性,可與多種有機、無機陰離子進行交換,并可通過離子交換、插層柱撐、機械擾動等步驟將LRH剝離成一個或幾個層板厚度的納米片。
一般認為厚度≤10nm的納米片為超薄納米片。目前合成LRH的方法主要有水熱合成法和均勻沉淀法,這兩種方法所得層狀化合物的片層較厚(30~300nm),需后續剝離才能獲得超薄納米片,并且這兩種方法所需溫度較高(100~200oC),反應時間較長(12h~48h)。此外,采用上述兩種方法只能合成離子半徑較小(Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er?和Y)的稀土層狀氫氧化物純相,而無法合成出離子半徑較大(La,Pr,Nd)的稀土層狀氫氧化物純相。
發明內容
針對現有技術中的不足,本發明提供了一種低溫條件下共沉淀合成超薄(3~10nm)稀土層狀氫氧化物Ln2(OH)5?NO3·nH2O(Ln=?Pr,Nd,Sm,Eu,?Gd,Tb,Dy,Ho,Er?和Y;n=1.30~2.00)納米片的方法。
本發明的具體操作步驟為:
(1)將濃度為0.1~0.5?mol/L的Ln的硝酸鹽溶液作為母液,冷卻到4~5℃,將已冷卻至4~5℃、濃度為0.25~1mol/L的氫氧化銨溶液逐滴滴入硝酸鹽母液中,直到溶液pH值至7.50~9.00,得到懸浮液,在4~5℃保溫陳化1~2h;
(2)將步驟(1)所得懸浮液離心分離,將所得沉淀用去離子水清洗,再用酒精清洗,于70oC烘干得到粉末狀Ln2(OH)5?NO3·nH2O超薄稀土層狀氫氧化物納米片。
其中,所述的Ln為Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er?或Y,n=1.30~2.00。
本發明的特點和有益效果在于:
在稀土層狀氫氧化物層狀結構中,層板作為密排面是低能面,故層狀化合物晶體傾向于向二維方向生長而降低表面能;而層板沿c-軸方向的堆垛需要較高的激活能,由于低溫條件不能滿足層狀化合物沿c-軸方向生長的激活能,故阻止了層板沿c-軸方向的堆垛;因而低溫條件下可得到超薄的層狀化合物。本發明在低溫條件下實現共沉淀,工藝操作簡單,耗時少,并能合成離子半徑較小(Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er?和Y)和離子半徑較大(Pr,Nd)的稀土層狀氫氧化物純相。
附圖說明
圖1為通過水熱合成法在不同溫度下所得Y2(OH)5NO3·nH2O的SEM形貌;
圖2為本發明實施例1獲得的Y2(OH)5NO3·nH2O的熱重量測定圖;
圖3為本發明實施例1獲得的Y2(OH)5NO3·nH2O的超薄稀土層狀氫氧化物納米片的(a)TEM形貌和(b)?XRD圖譜;
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