[發明專利]一種ZnO透明導電膜層的制備方法無效
| 申請號： | 201210443951.7 | 申請日： | 2012-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN102965621A | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | 石倩;周克崧;代明江;林松盛;侯惠君;韋春貝;胡芳 | 申請（專利權）人： | 廣州有色金屬研究院 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 廣東世紀專利事務所 44216 | 代理人： | 千知化 |
| 地址： | 510651 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 zno 透明 導電 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種ZnO透明導電膜層的制備方法，其特征是由以下步驟組成：
(1)襯底除油、清洗、烘干后放入真空室中，本底真空度＜4.0×10-3Pa，工作溫度為室溫，氣壓0.2～0.6Pa，離子源200～400W和偏壓200～800V下，用氬離子轟擊清洗襯底5～20min；
(2)Ga2O3和ZnF2摻雜的ZnO作為靶材，氬氣流量50-250sccm，氬氣壓為0.1～1.0Pa，襯底溫度為室溫，中頻靶功率為2～20W/cm2，沉積時間5～20min，中頻磁控濺射沉積GFZO膜層。
2.根據權利要求1所述的ZnO透明導電膜層的制備方法，其特征是所述襯底為玻璃或柔性有機聚合物。
3.根據權利要求1所述的ZnO透明導電膜層的制備方法，其特征是所述靶材為GFZO陶瓷，其中Ga2O3含量為2～5wt.％，ZnF2含量為1～3wt.％。
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