[發明專利]一種超結功率器件終端結構

無效

• 申請號: 201210443873.0
• 申請日: 2012-11-08
• 公開（公告）號: CN102969356A
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 任敏;李果;宋詢奕;張鵬;王娜;鄧光敏;夏小軍;張蒙;李澤宏;張金平;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種超結功率器件的終端結構，包括器件元胞（Ⅰ）和器件終端；所述器件元胞（Ⅰ）的漂移區由交替相間的P柱區半導體和N柱區半導體構成超結結構；其特征在于，所述器件終端包括兩個部分：過渡終端區（Ⅱ）和耐壓終端區（Ⅲ）；所述過渡終端區（Ⅱ）處于器件元胞（Ⅰ）和耐壓終端區（Ⅲ）之間，過渡終端區（Ⅱ）的寬度尺寸小于耐壓終端區（Ⅲ）的寬度尺寸；過渡終端區（Ⅱ）由交替相間的P柱區半導體和N柱區半導體構成超結結構，且過渡終端區（Ⅱ）的超結結構中P柱區半導體和N柱區半導體的摻雜濃度與器件元胞（Ⅰ）的超結結構中P柱區半導體和N柱區半導體的摻雜濃度相同；耐壓終端區（Ⅲ）同樣由交替相間的P柱區半導體和N柱區半導體構成超結結構，但耐壓終端區（Ⅲ）的超結結構中P柱區半導體和N柱區半導體的摻雜濃度小于器件元胞（Ⅰ）的超結結構中P柱區半導體和N柱區半導體的摻雜濃度。

2.根據權利要求1所述的超結功率器件的終端結構，其特征在于，所述器件元胞結構為超結MOSFET器件元胞、超結IGBT器件元胞或超結二極管器件元胞。

3.根據權利要求1或2所述的超結功率器件的終端結構，其特征在于，所述耐壓終端區（Ⅲ）的P柱區半導體或N柱區半導體的寬度與器件元胞中P柱區半導體或N柱區半導體的寬度相同或不相同。

4.根據權利要求1或2所述的超結功率器件的終端結構，其特征在于，所述耐壓終端區（Ⅲ）的P柱區半導體或N柱區半導體的間距與器件元胞中P柱區半導體或N柱區半導體的間距相同或不相同。

5.根據權利要求1或2所述的超結功率器件的終端結構，其特征在于，所述耐壓終端區（Ⅲ）的P柱區半導體上方還具有金屬或多晶場板。