[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其操作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210443740.3
• 申請(qǐng)日: 2012-11-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103489479B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金道映
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G11C16/06
• 分類(lèi)號(hào): G11C16/06;G11C16/34
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363
• 代理人: 郭放;俞波

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括：

存儲(chǔ)器單元陣列，所述存儲(chǔ)器單元陣列包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元；以及

外圍電路，所述外圍電路被配置成：當(dāng)編程電壓被施加至選中的存儲(chǔ)器單元的字線(xiàn)時(shí)，所述外圍電路通過(guò)將接地電壓、電源電壓以及位線(xiàn)電壓中的至少一種施加至選中的存儲(chǔ)器單元的位線(xiàn)來(lái)對(duì)選中的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行編程操作進(jìn)入目標(biāo)編程狀態(tài)，其中位線(xiàn)電壓介于所述接地電壓和所述電源電壓之間；

其中，所述外圍電路被配置成：當(dāng)所述選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓高于第一驗(yàn)證電壓且低于第二驗(yàn)證電壓時(shí)，所述外圍電路根據(jù)所述選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓來(lái)改變所述位線(xiàn)電壓，以及將所述位線(xiàn)電壓施加至所述選中的存儲(chǔ)器單元的位線(xiàn)，以及

其中，所述位線(xiàn)電壓是基于與所述第二驗(yàn)證電壓和所述閾值電壓之差相對(duì)應(yīng)的差值而確定的。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述位線(xiàn)電壓對(duì)應(yīng)于以所述差值為自變量的線(xiàn)性函數(shù)的應(yīng)變量。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述外圍電路向所述選中的存儲(chǔ)器單元的字線(xiàn)施加逐漸增大的編程脈沖，并且向所述選中的存儲(chǔ)器單元的位線(xiàn)施加接地電壓、所述位線(xiàn)電壓和電源電壓中的至少一種。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述外圍電路執(zhí)行向所述選中的存儲(chǔ)器單元的字線(xiàn)施加以第一增量逐漸增大的編程脈沖并將所述選中的存儲(chǔ)器單元編程而以所述第一驗(yàn)證電壓為驗(yàn)證電壓的暫時(shí)編程狀態(tài)的第一編程操作，以及向所述選中的存儲(chǔ)器單元的字線(xiàn)施加以第二增量逐漸增大的編程脈沖并將所述選中的存儲(chǔ)器單元編程為以所述第二驗(yàn)證電壓為驗(yàn)證電壓的編程狀態(tài)的第二編程操作。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，其中，所述第一增量大于所述第二增量。

6.一種操作半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，將選中的存儲(chǔ)器單元編程為目標(biāo)編程狀態(tài)，所述方法包括以下步驟：

通過(guò)向選中的字線(xiàn)施加第一編程電壓并向選中的位線(xiàn)施加第一位線(xiàn)電壓來(lái)編程具有低于第二驗(yàn)證電壓的閾值電壓的選中的存儲(chǔ)器單元；

以第一驗(yàn)證電壓執(zhí)行確定所述選中的存儲(chǔ)器單元是否通過(guò)編程的第一驗(yàn)證操作；

識(shí)別在所述第一驗(yàn)證操作中通過(guò)編程的所述選中的存儲(chǔ)器單元的閾值電壓；

計(jì)算要施加到具有高于第一驗(yàn)證電壓且低于第二驗(yàn)證電壓的閾值電壓的選中的存儲(chǔ)器單元的選中的位線(xiàn)的第二位線(xiàn)電壓；以及

通過(guò)向所述選中的字線(xiàn)施加第二編程電壓并向所述選中的位線(xiàn)施加基于閾值電壓而計(jì)算得到的所述第二位線(xiàn)電壓來(lái)編程具有低于第二驗(yàn)證電壓的閾值電壓的選中的存儲(chǔ)器單元，

其中，所述第二位線(xiàn)電壓是基于與對(duì)應(yīng)于目標(biāo)編程狀態(tài)的第二驗(yàn)證電壓和所述閾值電壓之差相對(duì)應(yīng)的差值計(jì)算而得的。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第二位線(xiàn)電壓對(duì)應(yīng)于以所述差值為自變量的線(xiàn)性函數(shù)的應(yīng)變量。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述第一編程電壓為以第一增量逐漸增大的編程脈沖，而所述第二編程電壓為以第二增量逐漸增大的編程脈沖。

9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一增量大于所述第二增量。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一位線(xiàn)電壓為接地電壓。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括以下步驟：以第二驗(yàn)證電壓確定所述選中的存儲(chǔ)器單元是否被編程為目標(biāo)編程狀態(tài)的第二驗(yàn)證操作。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，在所述選中的存儲(chǔ)器單元通過(guò)所述第二驗(yàn)證操作的情況下，當(dāng)向所述選中的字線(xiàn)施加所述第二編程電壓時(shí)，向所述選中的位線(xiàn)施加電源電壓。