[發明專利]一種具有硅碳氧阻擋層薄膜的低輻射玻璃及其制備方法

無效

• 申請號: 201210443518.3
• 申請日: 2012-11-08
• 公開（公告）號: CN102922824A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 韓高榮;高倩;劉涌;李銘;宋晨路;沈鴿;汪建勛
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: B32B17/06
• 分類號: B32B17/06;B32B33/00;C03C17/34
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 韓介梅

1.一種具有硅碳氧阻擋層薄膜的低輻射玻璃，包括玻璃基板和氧化錫摻氟膜層，其特征是在玻璃基板與氧化錫摻氟膜層之間有1～5層硅碳氧薄膜，每層硅碳氧薄膜的厚度為5～30nm，從玻璃基板往氧化錫摻氟膜層方向逐漸變薄，折射率從1.6至1.7呈梯度變化，每層硅碳氧薄膜為納米硅晶粒鑲嵌于非晶的硅碳氧網絡中的結構，非晶的硅碳氧網絡由Si-O鍵合和Si-C鍵合形成。

2.根據權利要求1所述的具有硅碳氧阻擋層薄膜的低輻射玻璃，其特征為所說的納米硅晶粒的直徑為2～5nm。

3.制備權利要求1所述的具有硅碳氧阻擋層薄膜的低輻射玻璃的方法，其特征在于包括以下步驟：

1）常溫常壓下，將體積濃度10%的硅烷、體積濃度99.99%的乙烯、體積濃度99.99%的二氧化碳按體積比1～2:3～4:3～4混合作為硅碳氧阻擋層原料氣體；

2）在浮法在線生產線的錫槽內，將步驟1）的原料氣體通入數個依次排列在玻璃基板上方的鍍膜反應器中輸送到勻速移動的玻璃表面，鍍膜反應器個數與硅碳氧薄膜的層數相等，利用化學氣相沉積法鍍膜，鍍膜溫度為650～680℃，得到多層硅碳氧阻擋層薄膜；

3）將鍍有硅碳氧阻擋層薄膜的玻璃傳輸到退火窯內，在580℃-600℃，以H₂O為催化劑，將已經氣化的質量濃度99.0%的有機錫源單丁基三氯化錫和質量濃度99.0%的有機氟源三氟乙酸用氮氣作載氣通入鍍有硅碳氧阻擋層的玻璃表面，利用化學氣相沉積法在硅碳氧阻擋層薄膜上沉積氧化錫摻氟膜層，混合反應氣體總量4L/min-5L/min，有機錫源單丁基三氯化錫、有機氟源三氟乙酸和氮氣的質量流量比為2:1:3。

4.根據權利要求3所述的制備具有硅碳氧阻擋層薄膜的低輻射玻璃的方法，其特征在于玻璃移動速度為360～545米/小時，鍍膜反應器噴氣口與移動玻璃表面的距離為2～5毫米。