[發(fā)明專利]一種用于制造發(fā)光器件的碳化硅組合襯底無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210442473.8 | 申請日： | 2012-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN103094439A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 虞浩輝;周宇杭 | 申請（專利權）人： | 江蘇威納德照明科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 黃明哲 |
| 地址： | 213342 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 制造 發(fā)光 器件 碳化硅 組合 襯底 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于制造發(fā)光器件的碳化硅組合襯底，其特征在于，
該組合襯底包括：
單晶碳化硅片；
在單晶碳化硅硅片上有一層非晶氮化硅層，非晶氮化硅層的厚度優(yōu)選為200～800nm；
在非晶氮化硅層上有一層單晶氮化硅薄膜，單晶氮化硅薄膜包括多個周期性排列的陣列單元，單晶氮化硅薄膜的厚度優(yōu)選為10～30nm，每個陣列單元的尺寸優(yōu)選為200×200nm2～1000×1000nm2，每個陣列單元之間的間隔優(yōu)選為50～300nm。
2.如權利要求1所述的組合襯底，其特征在于，所述非晶氮化硅層的厚度優(yōu)選為300～500nm。
3.如權利要求1所述的組合襯底，其特征在于，所述每個陣列單元的尺寸優(yōu)選為優(yōu)選為200×200nm2～400×400nm2。
4.如權利要求1所述的組合襯底，其特征在于，所述每個陣列單元之間的間隔優(yōu)選為100～200nm。
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