[發明專利]測量多晶硅溫度變化的方法在審
| 申請號： | 201210442454.5 | 申請日： | 2012-11-08 |
| 公開（公告）號： | CN103808425A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 甘正浩;陳芳 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01K7/18 | 分類號： | G01K7/18 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測量 多晶 溫度 變化 方法 | ||
1.一種測量多晶硅溫度變化的方法，該方法包括：
測量與所述多晶硅接觸且位于同一層的金屬在室溫下的電阻R0，以及所述金屬在各個溫度點下的電阻，獲得所述金屬的電阻溫度系數TCR；
將產生溫度變化的預定電流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在電流I作用下產生的溫度變化△T與所述金屬相同；
測量所述金屬在溫度變化△T后的電阻R1；
根據所述金屬的TCR、R0和R1，獲得在所述電流I的作用下，所述多晶硅的溫度變化△T。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，
根據公式得到R1=（TCR×△T＋1）R0；
在上述公式中代入TCR、R1和R0，獲得在所述電流I的作用下，所述多晶硅的溫度變化△T。
3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，測量與所述多晶硅接觸且位于同一層的金屬在室溫下的電阻R0，以及所述金屬在各個溫度點下的電阻，采用四點法。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述各個溫度點采用烘箱或晶圓載物吸盤加熱的方法獲得。
5.如權利要求4所述的方法，其特征在于，測量所述金屬在溫度變化△T后的電阻R1，采用四點法。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金屬為自對準金屬硅化物。
7.一種測量多晶硅溫度變化的方法，該方法包括：
測量與所述多晶硅接觸且位于同一層的金屬在室溫下的電阻R0，以及所述金屬在各個溫度點下的電阻，獲得所述金屬的電阻溫度系數TCR；
測量所述多晶硅和金屬在室溫下的總電阻R＋R0；
將產生溫度變化的預定電流I作用于所述多晶硅上，所述多晶硅在電流I作用下產生的溫度變化△T與所述金屬相同；
測量所述多晶硅和金屬在溫度變化△T后的總電阻R＋R1；
根據所述金屬的TCR、R0以及R1-R0，獲得在所述電流I的作用下，所述多晶硅的溫度變化△T。
8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，
根據公式得到R1-R0=TCR×△T×R0；
在上述公式中代入TCR、R0以及R1-R0，獲得在所述電流I的作用下，所述多晶硅的溫度變化△T。
9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，測量所述多晶硅和金屬在室溫下的總電阻采用四點法。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，測量所述多晶硅和金屬在溫度變化△T后的總電阻采用四點法。
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