[發(fā)明專利]一種集成電路的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210442118.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102983082A | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 虞浩輝;周宇杭 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 江蘇威納德照明科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L21/50;H01L21/60;C22C9/00;C22F1/08 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112 | 代理人: | 黃明哲 |
| 地址: | 213342 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 集成電路 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種集成電路的制造方法,尤其涉及一種包括引線支架的集成電路的制造方法。
背景技術(shù)
目前,電子信息產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為我國的一個(gè)重要支柱產(chǎn)業(yè),半導(dǎo)體器件作為這個(gè)支柱產(chǎn)業(yè)的基石,其包括外部封裝和內(nèi)部集成電路;集成電路(IC)包括芯片、引線和引線支架、粘接材料、封裝材料等。其中,引線支架的主要功能是為芯片提供機(jī)械支撐載體,同時(shí)也具有連接外部電路、傳送電信號(hào)以及散熱等功能。因此IC封裝需要具備高強(qiáng)度、高導(dǎo)電、高導(dǎo)熱性及良好的可焊性、耐蝕性、塑封性、抗氧化性等綜合性能。
我國引線支架材料的研究、試制、生產(chǎn)起步較晚,引線支架銅帶生產(chǎn)規(guī)模小、品種規(guī)格少,目前只有少數(shù)企業(yè)可以進(jìn)行批量生產(chǎn)很少型號(hào)的合金,而且存在質(zhì)量精度差,質(zhì)量不穩(wěn)定、軟化點(diǎn)低、內(nèi)應(yīng)力不均勻、寬度與厚度公差超差、外觀要求不合格等問題。目前銅鐵合金作為制造引線支架的主要材料,已占到市場總額的80%,合金牌號(hào)具有100多種。
其中我國生產(chǎn)的C194合金是其中具有代表性的一種。但是,目前生產(chǎn)的C194引線支架銅鐵合金的質(zhì)量還不能滿足要求,精度差,品種規(guī)格少,性能不穩(wěn)定,銅帶成品率不到50%,在板型狀況、殘余內(nèi)應(yīng)力、表面光潔度、邊部毛刺等方面存有較大缺陷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種集成電路的制造方法,其中制造引線支架的銅鐵合金的制造方法可以有效解決引線支架用銅鐵合金綜合性能不滿足生產(chǎn)要求、合金組織不均勻、析出相細(xì)小彌散化等問題,采用本發(fā)明的制造方法制備的銅鐵合金的抗拉強(qiáng)度、硬度、延伸率、電導(dǎo)率及軟化溫度等特性均能較好地滿足電子工業(yè)領(lǐng)域?qū)σ€支架材料性能的諸多要求。
本發(fā)明的集成電路的制造方法包括:
(一)提供芯片;
(二)制造引線支架,其中制造引線支架包括如下步驟:
(1)首先將主料及輔料在1250~1350℃熔融后注入坯模,在液相線溫度至380℃的溫度范圍內(nèi)以80℃/min以上的冷卻速度進(jìn)行冷卻,在制造過程中控制合金成分及含量Fe為2.0~2.6wt%、Ti為0.05~0.1wt%、B為0.01~0.03wt%、Na為0~0.05wt%、Mo為0.01~1.5wt%、其余組分為Cu和不可避免的雜質(zhì);
(2)將得到的鑄坯在1000℃以下的加熱溫度進(jìn)行熱軋壓延,在制造過程中控制成分含量Fe為2.0~2.6wt%、Ti為0.05~0.1wt%、B為0.01~0.03wt%、Na為0~0.05wt%、Mo為0.01~1.5wt%、其余組分為Cu和不可避免的雜質(zhì);
(3)將熱軋帶材反復(fù)進(jìn)行冷軋壓延和300℃~600℃雙級(jí)連續(xù)退火,在制造過程中控制成分含量Fe為2.0~2.6wt%、Ti為0.05~0.1wt%、B為0.01~0.03wt%、Na為0~0.05wt%、Mo為0.01~1.5wt%、其余組分為Cu和不可避免的雜質(zhì);
(4)進(jìn)行冷軋壓延加工使其厚度變化量達(dá)到40%以上,再進(jìn)行420℃以下的低溫退火,得到帶材成品,在制造過程中控制成分含量Fe為2.0~2.6wt%、Ti為0.05~0.1wt%、B為0.01~0.03wt%、Na為0~0.05wt%、Mo為0.01~1.5wt%、其余組分為Cu和不可避免的雜質(zhì)。
(5)采用上述帶材制成引線支架;
(三)將芯片固定在引線支架上,在芯片上引出引線,用封裝材料將其封裝。
優(yōu)選地,步驟(1)中的主料為1號(hào)電解銅,輔料為銅鐵中間合金、銅硼中間合金、單質(zhì)鈦、單質(zhì)鈉和混合稀土。
優(yōu)選地,在步驟(2)熱軋壓延加工過程中控制帶材的晶粒直徑小于50μm;
優(yōu)選地,在步驟(3)中冷軋退火加工過程中控制帶材的晶粒直徑小于50μm。
優(yōu)選地,經(jīng)步驟(4)制得的銅鐵合金還含有As、Sb、Bi、Bb、Co、Ni元素中至少一種以上的元素且總量小于0.05wt%。
優(yōu)選地,所述銅合金的抗拉強(qiáng)度為600MBa以上、硬度180Hv以上、電導(dǎo)率66%IACS以上、延伸率7.0%以上。
本發(fā)明的引線支架銅鐵合金的制備方法的有益效果是:
(1)本發(fā)明銅鐵合金綜合性能優(yōu)越、合金組織均勻、析出相細(xì)小彌散,且合金價(jià)格相對(duì)較低,生產(chǎn)效率高;
(2)成品的抗拉強(qiáng)度達(dá)到600MBa以上、硬度180Hv以上、電導(dǎo)率66%IACS以上、延伸率7.0%以上,能較好地滿足電子工業(yè)領(lǐng)域?qū)σ€框架材料性能的諸多要求;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于江蘇威納德照明科技有限公司,未經(jīng)江蘇威納德照明科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210442118.0/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測試終端的測試方法
- 一種服裝用人體測量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





