[發明專利]GOI_TDDB測試電路結構有效
| 申請號： | 201210442011.6 | 申請日： | 2012-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN103811466A | 公開（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發明（設計）人： | 牛剛;劉競文;于建姝;趙曉東;段曉博 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | goi_tddb 測試 電路 結構 | ||
1.一種GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于，所述GOI_TDDB測試電路結構包括：
襯底；
多個柵氧層，形成于所述襯底上，所述柵氧層相互平行且呈指狀分布；
多晶硅層，沉積于所述柵氧層上，所述多晶硅層相互平行且呈指狀分布；
源極區和漏極區，分別位于最外側柵氧層遠離其他柵氧層的外側襯底；
STI，形成于所述襯底中，位于各個柵氧層之間以及位于柵氧層、源極區和漏極區的外側。
2.根據權利要求1所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于，所述GOI_TDDB測試電路結構還包括：
襯底表面區，位于STI遠離源極區和漏極區的一側。
3.根據權利要求1所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于，所述GOI_TDDB測試電路結構還包括：
形成于所述多晶硅層上的接觸孔；以及
與所述接觸孔電連接的金屬線層。
4.根據權利要求1至3任一項所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所有柵氧層的寬度均相等。
5.根據權利要求4所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：相鄰柵氧層之間的STI的寬度等于所述柵氧層的寬度。
6.根據權利要求1至3任一項所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：
所述源極區的寬度大于等于1.3um，所述漏極區的寬度大于等于1.3um，所述源極區和漏極區的寬度相等。
7.根據權利要求1至3任一項所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所有柵氧層的總面積為10um×10um、1um×0.08um或者3.6um×3.6um。
8.根據權利要求1至3任一項所述的GOI_TDDB測試電路結構，其特征在于：所述襯底為N型襯底或者P型襯底。
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