[發明專利]集成的光信號發射裝置

無效

• 申請號: 201210441781.9
• 申請日: 2012-11-07
• 公開（公告）號: CN103811995A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 耿振民
• 申請（專利權）人: 無錫華御信息技術有限公司
• 主分類號: H01S5/06
• 分類號: H01S5/06;H04B10/50
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 溫子云

1.一種集成的光信號發射裝置，包括半導體本體(1)，該半導體本體具有

-表面發射性的包括垂直發射極層(3)的垂直發射極區域(2)，

-至少一個設置用于光學抽運所述垂直發射極層(3)的抽運源(4)，和

-輻射穿透表面(26)，在所述垂直發射極層中產生的電磁輻射(31)通過該輻射穿透表面(26)離開，

其特征在于還包括：變頻元件（30），

所述變頻元件以集成的方式直接設置在所述輻射穿透表面（26）；

所述變頻元件采用散熱性能良好的材料制成；

所述變頻元件能夠實現將垂直發射極層發射的基礎頻率變換成為二倍頻或三倍頻的高價頻率。

2.如權利要求1所述的光信號發射裝置，所述光發射裝置為半導體激光器。

3.如權利要求1所述的光信號發射裝置，所述變頻元件為光學非線性晶體。

4.如權利要求3所述的光信號發射裝置，所述非線性晶體選自：三硼酸鋰LiB₃O₅(LBO)、硼酸鉍BiB₃O₆(BiBO)、磷酸氧鈦鉀KTiOPO₄(KTP)、摻雜氧化鎂的匹配適應的鈮酸鋰MgO：LiNbO₃(MgO：LN)、摻雜氧化鎂的化學當量的鈮酸鋰MgO：s-LiNbO₃(MgO：SLN)、摻雜氧化鎂的化學當量的鉭酸鋰MgO：LiTaO₃(MgO：SLT)、化學當量的LiNbO₃(SLN)、化學當量的LiTaO₃(SLT)、RTP(RbTiOPO₄)、KTA(KTiOAsO₄)、RTA(RbTiOAsO₄)、CTA(CsTiOAsO₄)。

5.如權利要求1所述的光信號發射裝置，所述變頻元件（30）借助于毛細連結(Capillary?Bonding)或其它的連接技術固定在所述輻射穿透表面（26）上。