[發(fā)明專利]用于分離多個裸片的方法及用于分離多個裸片的加工設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210441780.4 | 申請日: | 2012-11-07 | 
| 公開(公告)號: | CN103094170A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 | 
| 發(fā)明(設計)人: | 赫爾穆特·布倫納;曼弗雷德·恩格爾哈德特 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 | 
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 | 
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 | 
| 地址: | 德國瑙伊*** | 國省代碼: | 德國;DE | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 分離 多個裸片 方法 加工 設備 | ||
技術領域
各實施方式總體上涉及用于分離多個裸片(die)的方法以及用于分離多個裸片的加工設備。?
背景技術
裸片(例如,半導體裸片、例如半導體芯片)通常是通過切割晶圓(wafer)來從晶圓分離的。傳統(tǒng)上,是通過鋸切晶圓來使裸片彼此分離的。鋸切會導致以下影響,諸如碎裂和裂縫形成,而這反過來會影響到芯片的可靠性或甚至影響到電氣功能性。?
發(fā)明內容
各實施方式提供了一種用于分離多個裸片的方法。該方法可以包括:從包括多個裸片的載體上選擇性地去除一個或多個部分,以沿著選擇性去除的一個或多個部分來分離多個裸片,其中該一個或多個部分位于裸片之間;以及在裸片的背面上隨后形成用于封裝裸片的至少一個金屬化層。?
附圖說明
在附圖中,相同的參考符號通常指代遍及不同示圖的相同的部分。附圖不必按照比例繪制,而是重點通常在于說明本發(fā)明的原理。在以下描述中,將參考以下附圖來描述本發(fā)明的各實施方式,附圖中:?
圖1示出了根據實施方式的用于分離多個裸片的方法。?
圖2A至圖2I示出了根據實施方式的用于分離多個裸片的方法。?
圖3示出了根據實施方式的用于分離多個裸片的加工設備。?
具體實施方式
以下的詳細描述所參照的附圖以示意性的方式示出了可以實踐本發(fā)明的具體細節(jié)和實施方式。?
詞語“示例性”在本文中用于表示“用作示例、實例或例子”。本文中描述為“示例性”的任何實施方式和設計不是必須被構思為比其他實施方式或設計更優(yōu)選或有利。?
在本文中用于描述使特征(例如層)形成在側面或表面“上”的詞語“在…上”,可以用于表示特征(例如層)可以“直接地”形成(例如直接接觸于)在所指的側面或表面“上”。在本文中用于描述使特征(例如層)形成在側面或表面“上”的詞語“在…上”,可以用于表示在所指的側面或表面與所形成的層之間布置有一個或多個附加層的情況下,特征(例如層)可以“間接地”形成在所指的側面或表面“上”。?
各實施方式涉及用于晶圓切割(即分離多個裸片),以及用于沉積背面金屬同時防止背面金屬沉積在切割槽中的方法。?
傳統(tǒng)上,通過鋸斷載體來使一個裸片與另一個裸片分離,來將晶圓中的裸片(例如半導體裸片、例如半導體芯片)獨立化(即分離)。諸如半導體晶圓的載體可以包括一個或多個裸片,例如一個、兩個、三個、四個、五個、六個、七個、八個、九個、十個或甚至更多裸片(諸如幾十個或幾百個裸片)。一個或多個半導體器件(例如二極管、例如晶體管、例如雙?極結晶體管、例如場效應晶體管、例如電阻、例如電容、例如電感、例如閘流晶體管)可以形成在載體中。裸片可以包括一個或多個半導體器件。?
一個或多個半導體器件可以根據前端線FEOL工藝來處理,其中前端線FEOL工藝包括至少一個用于形成半導體器件的有源電子部分(例如形成源/漏區(qū)域、溝道區(qū)域、p摻雜區(qū)域、n摻雜區(qū)域)的工藝。?
可以執(zhí)行后端線BEOL工藝,其中可以在載體內形成用于電連接一個或多個半導體的金屬化層。?
在FEOL和BEOL工藝之后,多個裸片仍然是單個載體(即,晶圓)的部分。換言之,多個裸片形成載體的一部分并且該多個裸片仍沒有被獨立化,即被分離為獨立裸片。背面金屬化層可以沉積在裸片上,而裸片仍然是單個載體的一部分。背面金屬化層可以是沉積在載體背面上并因此沉積在裸片背面上的金屬層(例如金),該裸片仍然是單個載體的一部分。背面金屬化可以包括形成位于多個裸片中的至少一個裸片與芯片封裝之間的、用于將裸片附接至芯片封裝的共晶粘合劑。?
在將背面金屬化層沉積在載體背面上,并且因此沉積在裸片的背面上之后,可通過將載體的區(qū)域(例如切口區(qū)域)鋸斷來將作為單個載體的一部分的多個裸片分離,從而將多個裸片分離為獨立裸片。然后,可以將獨立裸片附接至芯片封裝。?
圖1A示出了根據實施方式的用于分離多個裸片的方法100。?
該方法包括:從包括多個裸片的載體選擇性地去除一個或多個部分,來沿著選擇性去除的一個或多個部分分離多個裸片,其中該一個或多個部分位于裸片之間(在110中);并且隨后在裸片的背面上形成用于封裝裸片的至少一個金屬化層(在120中)。?
圖2A到圖2I示出了根據實施方式的根據用于分離多個裸片的方法100的方法。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





