[發明專利]封裝結構及其制法有效
| 申請號: | 201210441350.2 | 申請日: | 2012-11-07 | 
| 公開(公告)號: | CN103794569B | 公開(公告)日: | 2017-08-01 | 
| 發明(設計)人: | 陳光欣;盧俊宏 | 申請(專利權)人: | 矽品精密工業股份有限公司 | 
| 主分類號: | H01L23/14 | 分類號: | H01L23/14;H01L21/48 | 
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司11314 | 代理人: | 程偉,王剛 | 
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 結構 及其 制法 | ||
1.一種封裝結構,其包括:
一中介板,其具有相對的第一側與第二側;
多個導電穿孔,其形成于該中介板中并連通該第一側與第二側,且各該導電穿孔具有相對的第一端與第二端,而該第一端與該中介板的第一側為同側,該導電穿孔包含導電柱及形成于該導電柱與該中介板之間的絕緣層,該導電柱的一端凸出該中介板的第二側,且該導電柱位于該中介板部分的斷面尺寸與該導電柱凸出該中介板部分的斷面尺寸相同;
多個焊錫凸塊,其接觸結合于該導電柱凸出該中介板的部分,且該焊錫凸塊的斷面尺寸與該導電柱凸出該中介板部分的斷面尺寸相同;以及
至少一外部件,其結合該些焊錫凸塊,該外部件為半導體組件或半導體封裝組。
2.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,該中介板為含硅的板體。
3.根據權利要求2所述的封裝結構,其特征在于,該導電穿孔為導電硅穿孔。
4.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,該導電柱為銅柱。
5.根據權利要求1所述的封裝結構,其特征在于,該封裝結構還包括線路重布結構,其形成于該中介板的第一側上且電性連接該些導電穿孔。
6.根據權利要求5所述的封裝結構,其特征在于,該線路重布結構上結合另一外部件。
7.根據權利要求6所述的封裝結構,其特征在于,該另一外部件為半導體組件、半導體封裝組或封裝基板。
8.一種封裝結構的制法,其包括:
提供一中介板,該中介板具有相對的第一側及第二側,且該第一側上具有多個凹孔;
形成導電凸塊于該些凹孔的部分空間中;
形成導電穿孔于該些凹孔中的導電凸塊上,該導電穿孔包含導電柱及形成于該導電柱與該中介板之間的絕緣層,且各該導電穿孔具有相對的第一端與第二端,該第一端與該中介板的第一側為同側,而該第二端接觸該導電凸塊;
移除該中介板的第二側的部分材質,以令各該導電凸塊及該導電柱的一端凸出該中介板的第二側,且該導電凸塊的斷面尺寸與該導電柱凸出該中介板部分的斷面尺寸相同;以及
結合至少一外部件于該些導電凸塊上。
9.根據權利要求8所述的封裝結構的制法,其特征在于,該中介板為含硅的板體。
10.根據權利要求9所述的封裝結構的制法,其特征在于,該導電穿孔為導電硅穿孔。
11.根據權利要求8所述的封裝結構的制法,其特征在于,形成該導電凸塊的材質為焊錫材料。
12.根據權利要求8所述的封裝結構的制法,其特征在于,該導電凸塊以電鍍或沉積方式形成。
13.根據權利要求8所述的封裝結構的制法,其特征在于,該導電柱為銅柱。
14.根據權利要求8所述的封裝結構的制法,其特征在于,該導電柱以電鍍或沉積方式形成。
15.根據權利要求8所述的封裝結構的制法,其特征在于,該外部件為半導體組件、半導體封裝組或封裝基板。
16.根據權利要求8所述的封裝結構的制法,其特征在于,該制法還包括形成線路重布結構于該中介板的第一側上,且該線路重布結構電性連接該些導電穿孔。
17.根據權利要求16所述的封裝結構的制法,其特征在于,該制法還包括結合另一外部件于該線路重布結構上。
18.根據權利要求17所述的封裝結構的制法,其特征在于,該另一外部件為半導體組件、半導體封裝組或封裝基板。
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