[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201210441210.5
• 申請日: 2009-01-28
• 公開（公告）號: CN103022115A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 百田圣自;阿部和;椎木崇;藤井岳志;吉川功;今川鐵太郎;小山雅紀;淺井誠
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社;株式會社電裝
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉建

1.一種半導體裝置，具有：主絕緣柵型半導體元件；尺寸比該主絕緣柵型半導體元件小的電流檢測用絕緣柵型半導體元件；以及連接在上述主絕緣柵型半導體元件和上述電流檢測用絕緣柵型半導體元件之間的電阻，上述半導體裝置根據該電阻兩端的電位差來檢測流過上述主絕緣柵型半導體元件的電流，其特征在于，

在上述半導體裝置中，上述主絕緣柵型半導體元件的反向偏壓時的電場，比上述電流檢測用絕緣柵型半導體元件的反向偏壓時的電場高，

上述主絕緣柵型半導體元件具有：

在第1個第1導電型半導體層的第1主面的表面層上設置的第1個第2導電型半導體區域；

在該第1個第2導電型半導體區域的表面層上選擇性設置的第1個第1導電型高濃度半導體區域；

在貫穿該第1個第1導電型高濃度半導體區域和上述第1個第2導電型半導體區域而到達上述第1個第1導電型半導體層的第1溝槽中，隔著第1柵極絕緣膜設置的第1柵電極；

與上述第1個第1導電型高濃度半導體區域和上述第1個第2導電型半導體區域相接的第1電極；以及

在上述第1個第1導電型半導體層的第2主面側設置的第2電極，

上述電流檢測用絕緣柵型半導體元件具有：

在第2個第1導電型半導體層的第1主面的表面層上設置的第2個第2導電型半導體區域；

在該第2個第2導電型半導體區域的表面層上選擇性設置的第2個第1導電型高濃度半導體區域；

在貫穿該第2個第1導電型高濃度半導體區域和上述第2個第2導電型半導體區域而到達上述第2個第1導電型半導體層的第2溝槽中，隔著第2柵極絕緣膜設置的第2柵電極；

與上述第2個第1導電型高濃度半導體區域和上述第2個第2導電型半導體區域相接的第3電極；以及

在上述第2個第1導電型半導體層的第2主面側設置的第4電極，

在上述第1電極和上述第3電極之間連接有上述電阻，

上述第2電極與上述第4電極被短路，

上述第1溝槽比上述第2溝槽深。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

相鄰的上述第1溝槽的間隔比相鄰的上述第2溝槽的間隔寬。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第1個第2導電型半導體區域的擴散深度比上述第2個第2導電型半導體區域的擴散深度淺。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第1個第1導電型半導體層的、與上述第1個第2導電型半導體區域的界面附近區域的第1導電型雜質的濃度，比上述第2個第1導電型半導體層的、與上述第2個第2導電型半導體區域的界面附近區域的第1導電型雜質的濃度高。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第1溝槽的寬度比上述第2溝槽的寬度窄。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第1個第2導電型半導體區域的、由上述第1溝槽分開的多個區域中的一部分從上述第1電極電浮起，上述第2個第2導電型半導體區域與上述第3電極短路的比率比上述第1個第2導電型半導體區域與上述第1電極短路的比率高。