[發明專利]超級電容的放電裝置無效
| 申請號： | 201210439151.8 | 申請日： | 2012-11-07 |
| 公開（公告）號： | CN102916472A | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 李翠;封仕燕 | 申請（專利權）人： | 沈陽創達技術交易市場有限公司 |
| 主分類號： | H02J7/00 | 分類號： | H02J7/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 110167 遼寧省沈陽市東陵區白塔鎮*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 超級 電容 放電 裝置 | ||
技術領域
本發明屬于電器技術領域，特別涉及一種超級電容的放電裝置。?
背景技術
????超級電容也叫做電化學電容器，具有性能穩定、使用壽命長等特點，近年來在電動汽車、太陽能發電、重型機械等領域表現出前有未有的發展趨勢，很多發達國家都已把關于超級電容的項目作為國家重點科研方向，超級電容在國內市場上也呈現出蓬勃發展的景象。?
發明內容
針對現有技術存在的不足，本發明提供一種超級電容放電裝置。?
本發明的技術方案是這樣實現的：該超級電容充電裝置包括微處理器、IGBT、放電電阻和超級電容，微處理器與IGBT相連接，IGBT與超級電容及限流電阻相連接，超級電容和放電電阻相連接。裝置工作時，微處理器發出控制信號，IGBT導通，放電回路導通，超級電容開始放電。?
本發明的優點：該超級電容充電裝置結構簡單、操作方便、裝置可靠性高。?
附圖說明
圖1為本發明超級電容充電裝置結構圖。?
具體實施方式
本發明的詳細結構結合實施例加以說明。?
該超級電容充電裝置結構如圖1所示，IGBT型號選取1MBI200L-120、微控制器選取型號為PIC16F877，放電電阻選擇RXG20-F型線繞電阻。?
該超級電容充電裝置由微處理器（PIC16F877）、IGBT（1MBI200L-120）、放電電阻（RXG20-F型線繞電阻）和超級電容組成，微處理器PIC16F877A與IGBT相連接，超級電容和IGBT1MBI200L-120及放電電阻相連接。裝置工作時，微處理器PIC16F877A發出控制信號，IGBT?1MBI200L-120導通，超級電容通過放電電阻進行放電。?
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