[發明專利]一種多孔Co3O4納米片的制備方法有效
| 申請號： | 201210438944.8 | 申請日： | 2012-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN102874882A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發明（設計）人： | 胡俊青;李文堯;鄒儒佳;李高;徐開兵;孫建慶;劉倩 | 申請（專利權）人： | 東華大學 |
| 主分類號： | C01G51/04 | 分類號： | C01G51/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 黃志達;謝文凱 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多孔 co sub 納米 制備 方法 | ||
1.一種多孔Co3O4納米片的制備方法，包括：
（1）泡沫鎳在鹽酸溶液中超聲清洗，除去表面的氧化鎳，然后洗滌、干燥；
（2）向Co(NO3)2溶液中滴加DMSO溶液，攪拌均勻；
（3）將制得的鎳浸入上述溶液中，對鎳表面進行電化學沉積，得到Co(OH)2納米片，然后清洗、干燥、煅燒，即得多孔Co3O4超級電容器材料。
2.根據權利要求1所述的一種多孔Co3O4納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中鹽酸濃度為3~6mol/L。
3.根據權利要求1所述的一種多孔Co3O4納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（1）中的超聲時間為10~30min。
4.根據權利要求1所述的一種多孔Co3O4納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中Co(NO3)2溶液濃度為0.01~0.05mol/L。
5.根據權利要求1所述的一種多孔Co3O4納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（2）中DMSO溶液的體積比濃度為1~5%。
6.根據權利要求1所述的一種多孔Co3O4納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）中電化學沉積電位為-1V，電化學沉積時間為5~20min。
7.根據權利要求1所述的一種多孔Co3O4納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）中清洗為用去離子水和無水乙醇清洗。
8.根據權利要求1所述的一種多孔Co3O4納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）中的干燥溫度為60~80℃，干燥時間為1~3小時。
9.根據權利要求1所述的一種多孔Co3O4納米片的制備方法，其特征在于：所述步驟（3）中的煅燒溫度為250~350℃，煅燒時間為2~5小時。
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