[發(fā)明專利]等離子體反應(yīng)腔

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210438566.3
• 申請日: 2012-11-06
• 公開（公告）號: CN103811258A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 聶淼
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

1.一種等離子體反應(yīng)腔，其特征在于，包括：腔體、內(nèi)襯、卡盤和進(jìn)氣裝置，所述內(nèi)襯位于所述腔體的內(nèi)部，所述內(nèi)襯包括底壁和側(cè)壁，所述側(cè)壁與所述腔體之間具有一定距離，所述底壁上設(shè)置有底壁開孔，所述側(cè)壁上設(shè)置有側(cè)壁開孔，所述卡盤位于所述腔體的內(nèi)部且用于放置襯底，所述進(jìn)氣裝置用于向所述腔體內(nèi)部輸入反應(yīng)氣體以產(chǎn)生等離子體，反應(yīng)后的剩余氣體及反應(yīng)副產(chǎn)物通過所述底壁開孔和所述側(cè)壁開孔從所述腔體內(nèi)被抽出。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)腔，其特征在于，所述內(nèi)襯還包括：設(shè)置于所述側(cè)壁上且向所述側(cè)壁外側(cè)延伸的邊沿結(jié)構(gòu)；

所述邊沿結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述腔體的頂部，以使所述內(nèi)襯架設(shè)于所述腔體上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)腔，其特征在于，所述底壁、所述側(cè)壁和所述邊沿結(jié)構(gòu)一體成型。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)腔，其特征在于，所述側(cè)壁與所述底壁之間呈設(shè)定角度布置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體反應(yīng)腔，其特征在于，所述設(shè)定角度為90度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的等離子體反應(yīng)腔，其特征在于，所述側(cè)壁為筒狀結(jié)構(gòu)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的等離子體反應(yīng)腔，其特征在于，所述設(shè)定角度大于90度且小于180度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)腔，其特征在于，所述側(cè)壁開孔的形狀包括圓形或者方形。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的等離子體反應(yīng)腔，其特征在于，所述側(cè)壁開孔在所述側(cè)壁上以多行多列的排列方式均勻排布。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體反應(yīng)腔，其特征在于，所述底壁的中心部位形成一中空結(jié)構(gòu)，所述底壁套在所述卡盤的外部以使所述卡盤位于所述中空結(jié)構(gòu)中。