[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210437634.4 | 申請(qǐng)日： | 2012-11-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103811655A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-05-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曾俊元;李岱螢;蔡宗霖 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 華邦電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L45/00 | 分類號(hào)： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 趙根喜;馮志云 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 非易失性存儲(chǔ)器 | ||
1.一種非易失性存儲(chǔ)器，包括：
單極性電阻式存儲(chǔ)單元；以及
二極管單元，與所述單極性電阻式存儲(chǔ)單元電性連接，所述二極管單元包括：
第一電極；
第二電極，與所述第一電極相對(duì)配置；
氧化鈷層，配置于所述第一電極與所述第二電極之間；以及
氧化銦鋅層，配置于所述第一電極與所述氧化鈷層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中所述氧化鈷層的厚度介于1nm至1000nm之間。
3.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中所述氧化銦鋅層的厚度介于1nm至1000nm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中所述第一電極的材料包括鉑或鎢。
5.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中所述第一電極的厚度介于10nm至1000nm之間。
6.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中所述第二電極的材料包括鉑或鎢。
7.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中所述第二電極的厚度介于10nm至1000nm之間。
8.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中所述二極管單元配置于所述單極性電阻式存儲(chǔ)單元上。
9.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)器，其中所述二極管單元與所述單極性電阻式存儲(chǔ)單元皆配置于基底上。
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